[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅电极，形成在基底上且在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此分隔开，栅电极包括第一栅电极和插置在第一栅电极与基底之间的第二栅电极；

沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；

绝缘隔离图案，在第一方向上延伸穿过第一栅电极，并在与基底的上表面基本上平行的第二方向上将第一栅电极分开；以及

阻挡图案，设置在每个栅电极的上表面、下表面和侧壁上，栅电极的侧壁面对沟道，

其中，绝缘隔离图案直接接触第一栅电极。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，阻挡图案包括金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，每个栅电极包括：

栅极导电图案，包括金属；以及

第一栅极阻挡图案，覆盖栅极导电图案的上表面、下表面和侧壁，栅极导电图案的侧壁面对沟道，第一栅极阻挡图案包括金属氮化物，并且

其中，绝缘隔离图案直接接触第一栅电极的栅极导电图案和第一栅极阻挡图案中的每个。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，每个栅电极包括：

栅极导电图案，包括金属；以及

第一栅极阻挡图案，覆盖栅极导电图案的上表面、下表面和第一侧壁，栅极导电图案的第一侧壁面对沟道，第一栅极阻挡图案包括金属氮化物，

其中，第一栅电极还包括覆盖栅极导电图案的第二侧壁的第二栅极阻挡图案，栅极导电图案的第二侧壁面对绝缘隔离图案，第二栅极阻挡图案包括金属氮化物，并且

其中，绝缘隔离图案直接接触第二栅极阻挡图案。

5.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，第二栅极阻挡图案直接接触阻挡图案的形成在第一栅电极的上表面和下表面上的部分。

6.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，第二栅极阻挡图案包括与第一栅极阻挡图案的材料不同的材料。

7.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，第二栅电极是插置在第一栅电极与基底之间的多个第二栅电极之中的一个，

其中，栅电极还包括插置在基底与所述多个第二栅电极之间的第三栅电极，

其中，第一栅电极用作串选择线，

其中，所述多个第二栅电极中的每个用作字线，并且

其中，第三栅电极用作地选择线。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中，第一栅电极包括形成在栅电极之中的最上面的层以及其下面的至少一个层处的两个第一栅电极，并且

其中，第三栅电极形成在栅电极的最下面的层处。

9.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，沟道包括多个部分，所述多个部分中的每个具有随着距基底的距离的增大而逐渐地增大的宽度，沟道的所述多个部分顺序地堆叠在基底上并彼此连接，并且

其中，所述多个部分之中的第一部分延伸穿过第一栅电极。

10.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，其中，沟道的第一部分具有比沟道的所述多个部分中的每个其余部分的在第一方向上的长度小的在第一方向上的长度。

11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：多条共源极线，在第一方向上延伸穿过每个栅电极且在第二方向上将栅电极分开，所述多条共源极线形成为沿着第二方向彼此分隔开。

12.根据权利要求11所述的垂直存储器装置，其中，所述多条共源极线包括在第二方向上彼此分隔开的第一共源极线和第二共源极线，

其中，沟道是插置在第一共源极线与第二共源极线之间以形成沟道块的多个沟道之中的一个，所述多个沟道沿着第二方向和第三方向中的每个彼此分隔开，第三方向与基底的上表面基本上平行且与第二方向交叉，并且

其中，沟道块的所述多个沟道包括至少12个沟道。