[发明专利]控制易失性存储器装置的修复的方法和存储装置

说明书

提供了控制易失性存储器装置的修复的方法和存储装置。所述方法包括：重复地执行巡检读取操作，以提供包括在来自易失性存储器装置的读取数据中的错误的错误位置信息；通过累积基于重复地执行的巡检读取操作的错误位置信息来生成累积错误信息；基于累积错误信息确认错误属性，错误属性指示错误与易失性存储器装置的结构之间的相关性；以及基于累积错误信息和错误属性针对易失性存储器装置执行运行时间修复操作。可以有效地管理错误，以防止易失性存储器装置的故障，因此可以提高易失性存储器装置和存储装置的性能和寿命。

本申请基于并要求于2019年7月23日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0088724号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地，涉及一种控制易失性存储器装置的修复的方法和执行该方法的设备。

背景技术

半导体存储器装置可以被分类为非易失性存储器装置(诸如，闪存装置)和易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(DRAM)装置)。DRAM的高速操作和成本效率为它们作为系统存储器的有效使用做了准备。由于用于DRAM的制造设计规格的持续缩减，DRAM存储器单元中的位错误会快速地增加，并且DRAM装置的良率会降低。

存储装置(诸如，基于闪存的固态驱动器(SSD))被广泛地用作计算装置的大容量存储介质。SSD将数据存储在非易失性存储器装置(诸如，闪存装置)中，并且将易失性存储器装置(诸如，DRAM装置)用作缓冲存储器以管理用于控制闪存装置的各种信息。当在DRAM装置的制造工艺期间发现故障时，可以通过各种修复方案来修复故障单元或失效单元。然而，当故障在DRAM装置被安装在SSD中并且产品被供应给用户之后(即，在SSD以用户层面被使用之后)发生时，除了DRAM装置之外，SSD也可能无法正常操作。

发明内容

一个或多个示例实施例可以提供一种控制易失性存储器装置的修复的方方，以提高易失性存储器装置的可靠性。

一个或多个示例实施例可以提供一种通过采用所述方法而具有提高的可靠性和寿命的设备。根据一个或多个实施例，所述设备是通过采用控制易失性存储器的修复的方法而具有提高的可靠性和寿命的存储装置。

根据公开的一方面，提供了一种控制易失性存储器装置的修复的方法，所述方法包括：重复地执行巡检读取操作，以确认包括在来自易失性存储器装置的读取数据中的一个或多个错误的错误位置信息；通过累积基于重复地执行的巡检读取操作的错误位置信息来获取累积错误信息；基于累积错误信息确认错误属性信息，错误属性信息指示包括在读取数据中的所述一个或多个错误与易失性存储器装置的结构之间的相关性；以及基于累积错误信息和错误属性信息针对易失性存储器装置执行运行时间修复操作。

根据公开的另一方面，提供了一种控制易失性存储器装置的修复的方法，所述易失性存储器装置被包括在存储装置中，所述方法包括：在存储装置处于空闲模式下时，重复地执行巡检读取操作，以确认包括在来自易失性存储器装置的读取数据中的一个或多个错误的错误位置信息；通过累积基于重复地执行的巡检读取操作的错误位置信息，来将易失性存储器装置的全部行地址之中的具有可校正错误的一个或多个候选失效行地址以及分别与所述一个或多个候选失效行地址中的每个对应的可校正错误数作为累积错误信息存储在累积错误表中，可校正错误数中的每个指示相应的候选失效行地址中的错误的数量；基于累积错误信息确认错误属性信息，错误属性信息指示错误与易失性存储器装置的结构之间的相关性；以及基于累积错误信息和错误属性信息针对易失性存储器装置执行封装后修复操作。