[发明专利]一种基于RF-SiP技术的声表面波开关滤波模块和电子设备

说明书

本发明涉及射频电子技术领域，尤其涉及一种基于RF‑SiP技术的声表面波开关滤波模块和电子设备，包括：陶瓷表贴管座、金属盖板和电子元器件的裸体芯片，电子元器件的裸体芯片包括：声表面波滤波器芯片、射频开关芯片、电容芯片；电子元器件的裸体芯片位于陶瓷表贴管座的台阶腔内及台阶腔的内陷腔；金属盖板焊接于陶瓷表贴管座的顶部，以对电子元器件的裸体芯片进行封装。本发明采用射频系统级封装RF‑SiP技术集成声表面波滤波器芯片、射频开关芯片、电容芯片形成的开关滤波功能集成模块，可以大幅缩减结构尺寸，并改善互联结构带来的射频性能恶化，从而满足小型化接收机的需求。

技术领域

本发明涉及射频电子技术领域，尤其涉及一种基于RF-SiP技术的声表面波开关滤波模块和电子设备。

背景技术

目前，现有声表面波开关滤波放大模块均采用封装的声表面波滤波器及其它封装元器件，由于各个元器件独立封装后再互联，故使得模块体积较大；且随着频率提高(尤其是1GHz以上)，模块体积缩小也将以牺牲性能为代价。此外，传统声表面波滤波器封装、互联结构带来的射频性能恶化，以及封装尺寸较大，增大了接收机小型化难度，推高了小型化接收机研制、生产成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种基于RF-SiP技术的声表面波开关滤波模块和电子设备。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种基于RF-SiP技术的声表面波开关滤波模块，包括：陶瓷表贴管座、金属盖板和电子元器件的裸体芯片，其中，

所述陶瓷表贴管座具有台阶腔，所述电子元器件的裸体芯片包括：声表面波滤波器芯片、射频开关芯片、电容芯片、反相器芯片及匹配电路芯片；

所述声表面波滤波器芯片贴片于所述台阶腔内的内陷腔处，所述射频开关芯片、电容芯片、反相器芯片及匹配电路芯片均贴片于所述台阶腔的下底面；

模块的控制逻辑和电源分层布线，射频信号布线于所述台阶腔内的表面处，且所述控制逻辑、所述电源及所述射频信号的接口均引出于陶瓷封装模块的底部；

所述金属盖板焊接于所述陶瓷表贴管座的顶部，以对所述电子元器件裸体芯片进行封装。

本发明的有益效果是：通过采用射频系统级封装RF-SiP技术集成声表面波滤波器裸芯片及其它裸芯片(射频开关裸芯片、电容裸芯片等)的开关滤波功能集成模块。相较于传统声表面波开关滤波模块，大幅缩减了结构尺寸，并改善互联结构带来的射频性能恶化，可以满足小型化接收机的需求。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步地，所述声表面波滤波器芯片至少为两个，所述射频开关芯片为两个，所述匹配电路芯片的数量为所述声表面波滤波器芯片数量的2倍。

采用上述进一步方案的有益效果是：通过封装多个声表面波滤波器芯片，可以实现对射频信号的选频，能够满足多通道小型化接收机的需求。

进一步地，采用平行缝焊将所述金属盖板焊接于所述陶瓷表贴管座的顶部。

进一步地，将所述金属盖板焊接于所述陶瓷表贴管座的顶部时，采用充氮工艺密封所述金属盖板。

采用上述进一步方案的有益效果是：通过采用充氮工艺密封金属盖板，可以延长模块的寿命。

进一步地，所述陶瓷表贴管座为高温共烧陶瓷管座。

采用上述进一步方案的有益效果是：采用多层高密度布线、具有台阶腔和内嵌腔的高温共烧陶瓷管座，可将电子元器件裸体芯片设在其台阶腔内及内嵌腔表面，从而可以大幅缩减声表面波开关滤波放大模块的尺寸。

进一步地，所述电子元器件的裸体芯片还包括：放大器芯片，所述放大器芯片贴片于所述台阶腔内的上表面。