[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板、显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板、显示装置，包括衬底基板，依次位于衬底基板上的导电层、硅基中间层和绝缘层；其中，硅基中间层与导电层、绝缘层之间通过化学键固定连接。通过在导电层(例如电极)和绝缘层之间设置通过化学键与二者固定连接的硅基中间层，有效提升了导电层与绝缘层之间的粘附力，防止了导电层与绝缘层在膜层内应力下由于粘附性差而发生鼓包，此外，硅基中间层与导电层的化学键可以有效钉扎导电层中的原子(例如铜原子)，避免制程中的高温环境下导电层向绝缘层扩散生长而造成的该导电层(例如栅极金属层)与后续导电层(例如源漏极金属层)之间的短路不良。由此提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法及显示面板、显示装置。

背景技术

现有平板显示设备主要包括液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)设备和有机电致发光显示(Organic Light Emitting Display，OLED)设备。以非晶硅基(amorphousSilicon，a-Si)作为有源层的薄膜晶体管由于自身电子迁移率低的固有缺陷，越来越无法满足人们对高分辨率、高刷新率、全面屏等高端产品的需求，氧化物半导体(如铟镓锌氧化物，Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)具有高的电子迁移率(约为a-Si的10倍)，良好的开关比，而且比低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)制程简单、成本低，成为未来高端显示产品最具潜力的有源层材料。

然而，氧化物半导体显示器在生产过程中也存在一些难题，IGZO作为有源层的材料对氢和水十分敏感，绝缘材料必须采用阻水性能比较强的氧化硅(SiOx)材料，但是SiOx薄膜内应力一般表现为较大的负应力(约-350Mpa)，而作为电极材料的Cu薄膜一般表现为正应力(约300Mpa)，可见，电极与绝缘层之间存在较大应力差，加之电极与绝缘层之间主要以范德华力连接，粘附性较差，实际生产中经常发生电极与绝缘层之间出现鼓包不良；此外，氧化物有源层和绝缘层的制作过程中一般会用较高的温度，该高温会使得Cu向绝缘层内生长形成铜须而击穿绝缘层，使绝缘层失效，形成短路(Short)不良，严重影响产品良率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法及显示面板、显示装置，用以提高产品良率。

因此，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的导电层，位于所述导电层背离所述衬底基板一侧的绝缘层，以及位于所述导电层与所述绝缘层之间的硅基中间层；其中，

所述硅基中间层与所述导电层、所述绝缘层之间通过化学键固定连接。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述硅基中间层，包括：3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷和聚碳硅烷其中之一或任意组合。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述导电层为栅极金属层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：依次位于所述绝缘层背离所述衬底基板一侧的氧化物有源层和源漏极金属层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述导电层为源漏极金属层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述绝缘层背离所述衬底基板一侧的像素电极层。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成导电层；

将具有所述导电层的所述衬底基板置于长链硅烷类混合溶液中，形成通过化学键与所述导电层固定连接的硅基中间层；