[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的导电层，位于所述导电层背离所述衬底基板一侧的绝缘层，以及位于所述导电层与所述绝缘层之间的硅基中间层；其中，

所述硅基中间层与所述导电层、所述绝缘层之间通过化学键固定连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述硅基中间层，包括：3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷和聚碳硅烷其中之一或任意组合。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为栅极金属层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：依次位于所述绝缘层背离所述衬底基板一侧的氧化物有源层和源漏极金属层。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为源漏极金属层。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述绝缘层背离所述衬底基板一侧的像素电极层。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成导电层；

将具有所述导电层的所述衬底基板置于长链硅烷类混合溶液中，形成通过化学键与所述导电层固定连接的硅基中间层；

在所述硅基中间层上形成通过化学键与所述硅基中间层固定连接的绝缘层。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述导电层的材料为铜金属，将具有所述导电层的所述衬底基板置于长链硅烷类混合溶液中，形成通过化学键与所述导电层固定连接的硅基中间层，具体包括：

将具有所述导电层的所述衬底基板置于浓度为5mg/ml-15mg/ml且至少包含3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷和聚碳硅烷其中之一的有机溶液中，在30℃-60℃的条件下处理10min-30min，形成至少通过羧基-铜、磺酸基-铜、硅-氧-铜其中之一构成的化学键，与所述导电层固定连接的硅基中间层。

9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为含硅的无机介电材料，在所述硅基中间层上形成通过化学键与所述硅基中间层固定连接的绝缘层，具体包括：

采用等离子体增强化学气相沉积法，在所述硅基中间层上形成通过硅-氧-硅化学键与所述硅基中间层固定连接的绝缘层。

10.如权利要求7-9任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成导电层之后，且在形成通过化学键与所述导电层固定连接的硅基中间层之前，还包括：

对所述导电层进行表面清洁处理。

11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，对所述导电层进行表面清洁处理，具体包括：

采用气压等离子体或远紫外光去除所述导电层表面的颗粒及油污后，使用双氧水和硫酸的混合溶液除去所述导电层表面的氧化层。

12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示面板。