[发明专利]成膜方法

说明书

本发明提供一种成膜方法。提供一种能够在凹部埋入不易由于之后的蚀刻工序而产生缝隙的硅氧化膜。本公开的一技术方案的成膜方法具有以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及利用等离子体使包含氦和氧的混合气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理。

技术领域

本公开涉及一种成膜方法。

背景技术

公知有一种通过相对于形成在基板的凹部交替地供给互相反应的第1反应气体和第2反应气体，从而在凹部使第1反应气体与第2反应气体的反应产物成膜的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，在供给第1反应气体之前，进行使羟基以期望的分布吸附于形成在基板的凹部的内表面的步骤。另外，作为使羟基以期望的分布吸附的一个例子，记载有如下例子：在使羟基吸附的步骤中，将基板暴露于由包含含氢气体的气体生成的氧等离子体，来补充不足的羟基。

专利文献1：日本特开2013－135154号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在凹部埋入不易由于之后的蚀刻工序而产生缝隙的硅氧化膜。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的成膜方法具有以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及利用等离子体使包含氦和氧的混合气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理。

发明的效果

根据本公开，能够在凹部埋入不易由于之后的蚀刻工序而产生缝隙的硅氧化膜。

附图说明

图1是表示一实施方式的成膜装置的结构例的剖视图。

图2是表示图1的成膜装置的真空容器内的结构的立体图。

图3是表示图1的成膜装置的真空容器内的结构的俯视图。

图4是沿着以能够旋转的方式设于图1的成膜装置的真空容器内的旋转台的同心圆剖切的该真空容器的剖视图。

图5是图1的成膜装置的另一剖视图。

图6是设于图1的成膜装置的等离子体产生源的剖视图。

图7是设于图1的成膜装置的等离子体产生源的另一剖视图。

图8是设于图1的成膜装置的等离子体产生源的俯视图。

图9是用于说明一实施方式的成膜方法的示意图(1)。

图10是用于说明一实施方式的成膜方法的示意图(2)。

图11是用于说明实施例中的评价方法的图。

图12是表示实施例的实施结果的图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在添附的所有附图中，对相同或对应的构件或零部件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。

(成膜装置)