[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其中，

该成膜方法具有以下步骤：

使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板之上；

向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及

利用等离子体使包含氦和氧的混合气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

该成膜方法周期性地重复使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述改性处理的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，

该成膜方法重复使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述改性处理的步骤，直到在所述凹部填充有所述硅氧化膜为止。

4.根据权利要求3所述的成膜方法，其中，

在通过重复使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述改性处理的步骤从而在所述凹部填充所述硅氧化膜的工序之前，进行通过重复以下步骤从而在所述凹部的表面成膜所述硅氧化膜的工序：

使氨基硅烷气体吸附于所述基板之上；

向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及

利用等离子体使包含氩和氧的混合气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，

成膜所述硅氧化膜的工序和填充所述硅氧化膜的工序不使所述基板暴露于大气地连续进行。

6.根据权利要求4或5所述的成膜方法，其中，

在使所述氨基硅烷气体吸附的步骤与使所述硅氧化膜堆积的步骤之间、以及进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤与使所述氨基硅烷气体吸附的步骤之间分别设有向所述基板供给第1吹扫气体和第2吹扫气体的步骤。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，

所述基板沿着设于真空容器内的旋转台上的周向配置，

在所述真空容器内的所述旋转台的上方沿着所述旋转台的旋转方向设有氨基硅烷气体吸附区域、第1分离区域、氧化气体供给区域、等离子体处理区域、第2分离区域，通过使所述旋转台旋转从而重复成膜所述硅氧化膜的工序和填充所述硅氧化膜的工序中的使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、供给所述第1吹扫气体的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤、进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤以及供给所述第2吹扫气体的步骤。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的成膜方法，其中，

在所述基板的表面预先形成有由氮化硅膜形成的底膜。