[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审
申请号: | 202010400630.3 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN111933659A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 田宇植;吴彦锡;金相烈;赵汉戈奇努莉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括第一显示区域和第二显示区域,所述第一显示区域包括第一像素,并且所述第二显示区域包括第二像素和透射区域;
第一像素电极和第一发射层,位于所述第一像素中;
第二像素电极和第二发射层,位于所述第二像素中;
对电极,在所述第一显示区域和所述第二显示区域中布置为一体;以及
顶层,布置在所述对电极上,
其中,所述对电极和所述顶层均具有与所述透射区域对应的开口区域,并且
其中,凸部位于所述透射区域周围,所述凸部在所述基底的顶表面方向上凸出。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述凸部是所述顶层的一部分。
3.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
有机功能层,位于所述第一像素电极与所述对电极之间,
其中,所述有机功能层与所述透射区域对应。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,多个突起图案位于所述有机功能层的顶表面上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述多个突起图案以设定间隔彼此分开,所述多个突起图案中的每个在一个方向上延伸。
6.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第二薄膜晶体管,位于所述第二显示区域中;以及
底部电极层,位于所述基底与所述第二薄膜晶体管之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
像素限定层,使所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每个的中心部分暴露,并且覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每个的边缘,
其中,所述像素限定层包括与所述透射区域对应的第一开口。
8.根据权利要求7所述的显示装置,所述显示装置还包括:
平坦化层,位于所述基底与所述像素限定层之间,
其中,所述平坦化层包括与所述透射区域对应的第二开口。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。
10.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
无机绝缘层,布置在所述基底上,
其中,所述无机绝缘层包括与所述透射区域对应的第三开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述开口区域的宽度小于所述第三开口的宽度。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一显示区域和所述第二显示区域通过面对所述基底的封装基底密封。
13.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
薄膜封装层,包括顺序堆叠在所述顶层上的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
14.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括像素和透射区域,所述像素包括显示元件;
像素电极和发射层,位于所述像素中;
对电极,位于所述发射层上;以及
顶层,位于所述对电极上,
其中,所述对电极和所述顶层均具有与所述透射区域对应的开口,并且
其中,所述顶层包括凸部,所述凸部与所述透射区域相邻,并且比所述凸部的周围的厚度厚。
15.根据权利要求14所述的显示装置,所述显示装置还包括:
有机功能层,位于所述像素电极与所述对电极之间,
其中,所述有机功能层与所述透射区域对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的