[发明专利]一种高集成密度半浮栅存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种高集成密度半浮栅存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底（200），具有第一掺杂类型；

带有两个U型槽的半浮栅阱区（201），具有第二掺杂类型，位于所述半导体衬底（200）表面，第一U型槽的底部与所述半导体衬底（200）相接触，第二U型槽的底部不与所述半导体衬底（200）接触，所述第一U型槽和所述第二U型槽之间不接触；

第一栅极叠层，包括第一栅介质层（203）和浮栅（204），其中第一栅介质（203）部分覆盖所述第一U型槽的表面，在所述第一U型槽的侧壁形成开口；所述浮栅（204）覆盖所述第一栅介质层（203），并在所述开口处与所述半浮栅阱区（201）接触；

第二栅极叠层，包括第二栅介质层（205）和控制栅（206），所述第二栅介质层（205）包覆所述浮栅并延伸覆盖所述第二U型槽表面和部分所述半浮栅阱区（201）表面，所述控制栅（206）覆盖所述第二栅介质层（205）；

栅极侧墙（207），位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；

源极（208）和漏极（209），具有第二掺杂类型，形成于所述半浮栅阱区（201）中，位于所述第一栅极叠层、第二栅极叠层两侧。

2.根据权利要求1所述的高集成密度半浮栅存储器，其特征在于，所述第一栅介质层（203）是SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂及其任意组合的一种。

3.根据权利要求1所述的高集成密度半浮栅存储器，其特征在于，所述浮栅（204）是TiN、TaN、MoN、WN及其任意组合的一种。

4.根据权利要求1所述的高集成密度半浮栅存储器，其特征在于，所述所述第二栅介质层（205）是SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂及其任意组合的一种。

5.根据权利要求1所述的高集成密度半浮栅存储器，其特征在于，所述控制栅（206）是TiN、TaN、MoN、WN及其任意组合的一种。

6.一种高集成密度半浮栅存储器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

提供具有第一掺杂类型的半导体衬底（200）；

在所述半导体衬底（200）表面形成具有第二掺杂类型的半浮栅阱区（201）；

在半浮栅阱区（201）中形成相互不接触的两个U型槽的，其中，第一U型槽的底部与所述半导体衬底（200）相接触，第二U型槽的底部不与所述半导体衬底（200）接触；

形成第一栅极叠层，依次形成第一栅介质层（203）和浮栅（204），使所述第一栅介质层（203）部分覆盖所述第一U型槽的表面，并在所述第一U型槽的侧壁形成开口；所述浮栅（204）覆盖第一栅介质层（203），并在所述开口处与所述半浮栅阱区（201）接触；

形成第二栅极叠层，依次形成第二栅介质层（205）和控制栅（206），使所述第二栅介质层（205）包覆所述浮栅（204），并延伸覆盖部分所述半浮栅阱区（201）表面和所述第二U型槽表面，所述控制栅（206）覆盖所述第二栅介质层（205）；

在所述第一栅极叠层和所述第二栅极叠层两侧形成栅极侧墙（207）；

在所述半浮栅阱区（201）中、所述第一栅极、第二栅极叠层两侧，形成具有第二掺杂类型的源极（208）和漏极（209）。

7.根据权利要求6所述的高集成密度半浮栅存储器的制备方法，其特征在于，所述第一栅介质层（203）是SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂及其任意组合的一种。

8.根据权利要求6所述的高集成密度半浮栅存储器的制备方法，其特征在于，所述浮栅（204）是TiN、TaN、MoN、WN及其任意组合的一种。