[发明专利]PMOS驱动电路及驱动装置

说明书

本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种PMOS驱动电路及驱动装置，PMOS驱动电路包括：电平移位模块、缓冲模块、中间电压产生模块及升压模块；升压模块，输入端与外部电源端连接，输出端分别与电平移位模块的电源端、缓冲模块的电源端及中间电压产生模块的输入端连接；升压模块的输出端的电压大于外部电源端的电压，且升压模块的输出端的电压与外部电源端的电压的差值为预设电压，从而使得PMOS管关断时的栅源电压Vgs由0V提高至预设电压值，从而使得PMOS管关断时的栅源电压Vgs远离PMOS管的阈值电压附近，有效提高PMOS管的关断速度。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种PMOS驱动电路及驱动装置。

背景技术

高压PMOS(positive channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体场效应)驱动器芯片主要用于功率放大器16的电源调制系统中，高压PMOS功率管驱动器芯片驱动高压PMOS功率管，输出调制电压。高压PMOS功率管的关断速度直接影响着电源调制系统的稳定性。

现有技术中，高压PMOS功率管驱动器芯片驱动PMOS功率管的关断速度不够快，影响了电源调制系统的可靠性，导致调制电压被展宽。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种PMOS驱动电路及驱动装置，以解决现有技术中PMOS功率管的关断速度不够快，调制电压被展宽的问题。

本发明实施例第一方面提供了一种PMOS驱动电路，包括：电平移位模块、缓冲模块、中间电压产生模块及升压模块；

升压模块，输入端与外部电源端连接，输出端分别与电平移位模块的电源端、缓冲模块的电源端及中间电压产生模块的输入端连接；

中间电压产生模块的输出端与缓冲模块的接地端连接；缓冲模块的输出端与PMOS管的栅极连接；

电平移位模块，输入端接收外部驱动信号，输出端与缓冲模块的输入端连接，接地端接地；

升压模块的输出端的电压大于外部电源端的电压，且升压模块的输出端的电压与外部电源端的电压的差值为预设电压。

可选的，预设电压为+5V。

可选的，升压模块包括：电荷泵升压单元；

电荷泵升压单元，输入端与升压模块的输入端连接，输出端与升压模块的输出端连接。

可选的，电荷泵升压单元包括：振荡器、第一反相器、第一跟随器、第二跟随器、第三跟随器、第四跟随器、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一电容、第二电容及第三电容；

振荡器的输出端与第一反相器的输入端连接，第一反相器的输出端分别与第一跟随器的输入端、第二跟随器的输入端、第三跟随器的输入端及第四跟随器的输入端连接；

第一跟随器的输出端与第二开关管的控制端连接，第二跟随器的输出端与第一开关管的控制端连接，第三跟随器的输出端与第三开关管的控制端连接，第四跟随器的输出端与第四开关管的控制端连接；

第一开关管，第一端与电荷泵升压单元的输入端连接，第二端分别与第三开关管的第一端及第一电容的第一端连接；

第二开关管，第一端与电荷泵升压单元的输出端连接，第二端分别与第四开关管的第一端及第一电容的第二端连接；

第三开关管的第二端接地，第四开关管的第二端与内部电源端连接；

第二电容，第一端与内部电源端连接，第二端接地；

第三电容，第一端与电荷泵升压单元的输出端连接，第二端接地。

可选的，第一开关管和第二开关管均为PMOS管，第三开关管和第四开关管均为NMOS管。