[发明专利]PMOS驱动电路及驱动装置在审
| 申请号: | 202010397507.0 | 申请日: | 2020-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN111446948A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | 张浩;赵永瑞;高业腾;师翔;史亚盼 | 申请(专利权)人: | 河北新华北集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/041 | 分类号: | H03K17/041;H03K17/687 |
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 张贵勤 |
| 地址: | 050200 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | pmos 驱动 电路 装置 | ||
1.一种PMOS驱动电路,其特征在于,包括:电平移位模块、缓冲模块、中间电压产生模块及升压模块;
所述升压模块,输入端与外部电源端连接,输出端分别与所述电平移位模块的电源端、所述缓冲模块的电源端及所述中间电压产生模块的输入端连接;
所述中间电压产生模块的输出端与所述缓冲模块的接地端连接;所述缓冲模块的输出端与PMOS管的栅极连接;
所述电平移位模块,输入端接收外部驱动信号,输出端与所述缓冲模块的输入端连接,接地端接地;
所述升压模块的输出端的电压大于所述外部电源端的电压,且所述升压模块的输出端的电压与所述外部电源端的电压的差值为预设电压。
2.如权利要求1所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述预设电压为+5V。
3.如权利要求1所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述升压模块包括:电荷泵升压单元;
所述电荷泵升压单元,输入端与所述升压模块的输入端连接,输出端与所述升压模块的输出端连接。
4.如权利要求3所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述电荷泵升压单元包括:振荡器、第一反相器、第一跟随器、第二跟随器、第三跟随器、第四跟随器、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一电容、第二电容及第三电容;
所述振荡器的输出端与所述第一反相器的输入端连接,所述第一反相器的输出端分别与所述第一跟随器的输入端、所述第二跟随器的输入端、所述第三跟随器的输入端及所述第四跟随器的输入端连接;
所述第一跟随器的输出端与所述第二开关管的控制端连接,所述第二跟随器的输出端与所述第一开关管的控制端连接,所述第三跟随器的输出端与所述第三开关管的控制端连接,所述第四跟随器的输出端与所述第四开关管的控制端连接;
所述第一开关管,第一端与所述电荷泵升压单元的输入端连接,第二端分别与所述第三开关管的第一端及所述第一电容的第一端连接;
所述第二开关管,第一端与所述电荷泵升压单元的输出端连接,第二端分别与所述第四开关管的第一端及所述第一电容的第二端连接;
所述第三开关管的第二端接地,所述第四开关管的第二端与内部电源端连接;
所述第二电容,第一端与所述内部电源端连接,第二端接地;
所述第三电容,第一端与所述电荷泵升压单元的输出端连接,第二端接地。
5.如权利要求4所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述第一开关管和所述第二开关管均为PMOS管,所述第三开关管和所述第四开关管均为NMOS管。
6.如权利要求4所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述PMOS驱动电路还包括:降压模块;
所述降压模块,输入端与所述外部电源端连接,输出端与所述内部电源端连接。
7.如权利要求1至6任一项所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述PMOS驱动电路还包括:逻辑控制模块、负控正模块及第五开关管;
所述负控正模块,输入端接收外部使能信号,输出端与所述逻辑控制模块的使能端连接;
所述逻辑控制模块,输入端接收所述外部驱动信号,第一输出端与所述电平移位模块的输入端连接,第二输出端与所述第五开关管的控制端连接;
所述第五开关管,第一端与所述PMOS管的漏极连接,第二端接地。
8.如权利要求1至6任一项所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述中间电压产生模块的输出端电压与所述中间电压产生模块的输入端电压之间的差值恒定。
9.如权利要求1至6任一项所述的PMOS驱动电路,其特征在于,所述外部电源端的电压范围为+20V~+80V。
10.一种驱动装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的PMOS驱动电路。
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