[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，包括若干沿第一预定方向延伸的有源区及用于分隔相邻的所述有源区的沟槽隔离结构；

多条位线结构，位于所述衬底上，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；以及，

金属硅化物层，位于所述第二位线结构与所述有源区之间，用于电性连接所述有源区与所述第二位线结构；

所述位线结构包括位线导电层、位线遮蔽层及隔离侧墙，所述位线遮蔽层覆盖所述位线导电层的顶壁，所述隔离侧墙至少覆盖所述位线导电层、所述位线遮蔽层及所述金属硅化物层的侧壁；

所述隔离侧墙的底部位于所述衬底中的第一深度位置，所述金属硅化物层的底部位于所述衬底的第二深度位置，所述第一深度位置低于所述第二深度位置。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，在垂直于高度方向上，所述金属硅化物层的宽度尺寸大于或等于所述位线导电层的宽度尺寸。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述金属硅化物层的材质包括钴硅化物、钛硅化物、钨硅化物、钼硅化物、钽硅化物或铂硅化物中的一种或多种。

4.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括若干沿第一预定方向延伸的有源区；

形成多条位线结构于所述衬底上，所述位线结构沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；以及，

形成金属硅化物层于所述第二位线结构与所述有源区之间，以电性连接所述有源区与所述第二位线结构；

所述位线结构包括位线导电层、位线遮蔽层及隔离侧墙，所述位线遮蔽层覆盖所述位线导电层的顶壁，所述隔离侧墙至少覆盖所述位线导电层、所述位线遮蔽层及所述金属硅化物层的侧壁；

所述隔离侧墙的底部位于所述衬底中的第一深度位置，所述金属硅化物层的底部位于所述衬底的第二深度位置，所述第一深度位置低于所述第二深度位置。

5.如权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成多条位线结构之前形成所述金属硅化物层，形成所述金属硅化物层的步骤包括：

形成掩膜层于所述衬底上；

在所述掩膜层中形成若干位线沟槽，所述位线沟槽沿着第二预定方向延伸，且所述位线沟槽位于所述衬底上的部分构成第一位线沟槽，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线沟槽；以及

在所述第二位线沟槽的底部形成所述金属硅化物层。

6.如权利要求5所述的存储器的形成方法，其特征在于，利用自对准硅化物工艺在所述第二位线沟槽的底部形成所述金属硅化物层。

7.如权利要求5所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成多条位线结构于所述衬底上的步骤包括：

顺次形成位线导电层及位线遮蔽层于所述位线沟槽中；以及，

形成隔离侧墙于所述位线沟槽中，所述隔离侧墙至少覆盖所述位线导电层以及所述位线遮蔽层的侧壁。