[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法，衬底包括若干沿第一预定方向延伸的有源区；所述衬底形成有多条且沿着第二预定方向延伸并穿过相应的有源区的位线结构，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；所述第二位线结构与所述有源区之间形成有金属硅化物层，通过所述金属硅化物层电性连接所述有源区与所述第二位线结构，由于所述金属硅化物层具有较低的电阻率，从而可以降低有源区与所述第二位线结构之间的接触电阻，进而了提高存储器的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。所述存储器还具有多条位线结构，每一位线结构分别与相应的存储单元电性连接。目前，位线结构和相应的存储单元之间过大的接触电阻是限制存储器性能的原因之一，如何降低位线结构和相应的存储单元之间的接触电阻，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器及其形成方法，以降低位线结构和相应的存储单元之间的接触电阻。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，包括若干沿第一预定方向延伸的有源区；

多条位线结构，位于所述衬底上，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；以及，

金属硅化物层，位于所述第二位线结构与所述有源区之间，用于电性连接所述有源区与所述第二位线结构。

可选的，所述位线结构包括位线导电层、位线遮蔽层及隔离侧墙，所述位线遮蔽层覆盖所述位线导电层的顶壁，所述隔离侧墙覆盖所述位线导电层以及所述位线遮蔽层的侧壁。

可选的，所述隔离侧墙还覆盖所述金属硅化物层的侧壁。

可选的，在垂直于高度方向上，所述金属硅化物层的宽度尺寸大于或等于所述位线导电层的宽度尺寸。

可选的，所述隔离侧墙的底部位于所述衬底中的第一深度位置，所述金属硅化物层的底部位于所述衬底的第二深度位置，所述第一深度位置低于所述第二深度位置。

可选的，所述金属硅化物层的材质包括钴硅化物、钛硅化物、钨硅化物、钼硅化物、钽硅化物或铂硅化物中的一种或多种。

本发明提供了一种存储器的形成方法，包括：

提供衬底，包括若干沿第一预定方向延伸的有源区；

形成多条位线结构于所述衬底上，所述位线结构沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；以及，

形成金属硅化物层于所述第二位线结构与所述有源区之间，以电性连接所述有源区与所述第二位线结构。

可选的，在形成多条位线结构之前形成所述金属硅化物层，形成所述金属硅化物层的步骤包括：

形成掩膜层于所述衬底上；

在所述掩膜层中形成若干位线沟槽，所述位线沟槽沿着第二预定方向延伸，且所述位线沟槽位于所述衬底上的部分构成第一位线沟槽，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线沟槽；以及

在所述第二位线沟槽的底部形成所述金属硅化物层。