[发明专利]一种基于桥接方式的芯片电源网络结构在审
| 申请号: | 202010394505.6 | 申请日: | 2020-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN111584505A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 王锐;余燊鸿;李建军;莫军 | 申请(专利权)人: | 广芯微电子(广州)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
| 地址: | 510700 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 方式 芯片 电源 网络 结构 | ||
本申请实施例公开了一种基于桥接方式的芯片电源网络结构。本申请实施例提供的技术方案通过第一过孔连接高层VDD条线和桥接金属层中的桥接VDD条线,并通过第二过孔连接桥接VDD条线和底层VDD条线,从而实现高层VDD条线和底层VDD条线之间的桥接,并通过第三过孔连接高层VSS条线和底层VSS条线,高层金属层、桥接金属层、绕线金属层和底层金属层上可布置信号线,并且绕线金属层在高层VDD条线对应处未设置过孔,在绕线金属层与高层VDD条线对应的位置可在满足DRC规则的情况下自由绕通信号线,缓解芯片绕线资源紧张的情况,提高绕线成功率。
技术领域
本申请实施例涉及芯片技术领域,尤其涉及一种基于桥接方式的芯片电源网络结构。
背景技术
电源规划是芯片物理设计中一个关键的步骤,它的目标是给整个芯片的供电设计出一个均匀的网络,使电能可以送到芯片每一个基本单元,让芯片正常工作。随着芯片制造工艺的不断发展,特征尺寸不断缩小,时钟频率不断提高,带来芯片性能的提高的同时,规模不断增大,物理设计的复杂程度也随之增加。
传统电源网络是由纵横交错的电源条线组成的,芯片的标准单元一般通过供电PIN与低层的电源条线连接,然后再通过via(过孔)连接高层的条线,再通过高层的电源条线与外部供电网络连接。
现有的传统电源规划方案在低层和高层电源条线之间打有via的区域中,由于需要中间各层的via一层一层连通才能完成电源条线在低层与高层的连接,为了减少短路等DRC(DesignRuleCheck,设计规则检查)问题,各层信号线不得通过这个区域进行绕线,造成芯片绕线资源紧张。
发明内容
本申请实施例提供一种基于桥接方式的芯片电源网络结构,缓解芯片绕线资源紧张的情况,提高绕线成功率。
本申请实施例提供了一种基于桥接方式的芯片电源网络结构,包括依次设置的高层金属层、桥接金属层、绕线金属层和底层金属层,所述高层金属层上设置有高层VDD条线和高层VSS条线,所述底层金属层上设置有底层VDD条线和底层VSS条线,所述桥接金属层设置有桥接VDD条线,其中:
所述高层VDD条线通过第一过孔电连接所述桥接VDD条线,所述第一过孔设置于所述高层VDD条线对应处,并且所述第一过孔连通高层金属层和桥接金属层;
所述桥接VDD条线通过第二过孔电连接所述底层VDD条线,所述第二过孔设置于所述高层VSS条线对应处,并且所述第二过孔连通桥接金属层、绕线金属层和底层金属层;
所述高层VSS条线通过第三过孔电连接所述底层VSS条线,所述第三过孔设置于所述高层VSS条线对应处,并且所述第三过孔连通高层金属层、桥接金属层、绕线金属层和底层金属层。
进一步的,所述高层VDD条线和所述高层VSS条线与所述底层VDD条线和所述底层VSS条线之间呈纵横交错布置,所述桥接VDD条线的走向与所述底层VDD条线的走向一致。
进一步的,所述高层VDD条线和所述高层VSS条线均设置有多个,并沿横向间隔交错设置。
进一步的,所述桥接VDD条线沿横向间隔设置有多个,并且其两端分别与相邻的所述高层VDD条线和所述高层VSS条线对应。
进一步的,所述底层VDD条线和所述底层VSS条线均设置有多个,并沿纵向间隔交错设置。
进一步的,所述桥接VDD条线沿纵向间隔设置有多个,并与所述底层VDD条线对应。
进一步的,所述高层VDD条线和桥接VDD条线电连接处设置有多个第一过孔。
进一步的,所述桥接VDD条线和底层VDD条线电连接处设置有多个第二过孔。
进一步的,所述高层VSS条线和底层VSS条线电连接处设置有多个第三过孔。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





