[发明专利]一种基于桥接方式的芯片电源网络结构在审

专利信息
申请号: 202010394505.6 申请日: 2020-05-11
公开(公告)号: CN111584505A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 王锐;余燊鸿;李建军;莫军 申请(专利权)人: 广芯微电子(广州)股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 510700 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 方式 芯片 电源 网络 结构
【权利要求书】:

1.一种基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,包括依次设置的高层金属层(1)、桥接金属层(2)、绕线金属层(3)和底层金属层(4),所述高层金属层(1)上设置有高层VDD条线(5)和高层VSS条线(6),所述底层金属层(4)上设置有底层VDD条线(7)和底层VSS条线(8),所述桥接金属层(2)设置有桥接VDD条线(9),其中:

所述高层VDD条线(5)通过第一过孔(10)电连接所述桥接VDD条线(9),所述第一过孔(10)设置于所述高层VDD条线(5)对应处,并且所述第一过孔(10)连通高层金属层(1)和桥接金属层(2);

所述桥接VDD条线(9)通过第二过孔(11)电连接所述底层VDD条线(7),所述第二过孔(11)设置于所述高层VSS条线(6)对应处,并且所述第二过孔(11)连通桥接金属层(2)、绕线金属层(3)和底层金属层(4);

所述高层VSS条线(6)通过第三过孔(12)电连接所述底层VSS条线(8),所述第三过孔(12)设置于所述高层VSS条线(6)对应处,并且所述第三过孔(12)连通高层金属层(1)、桥接金属层(2)、绕线金属层(3)和底层金属层(4)。

2.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)与所述底层VDD条线(7)和所述底层VSS条线(8)之间呈纵横交错布置,所述桥接VDD条线(9)的走向与所述底层VDD条线(7)的走向一致。

3.根据权利要求2所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)均设置有多个,并沿横向间隔交错设置。

4.根据权利要求3所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述桥接VDD条线(9)沿横向间隔设置有多个,并且其两端分别与相邻的所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)对应。

5.根据权利要求2所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述底层VDD条线(7)和所述底层VSS条线(8)均设置有多个,并沿纵向间隔交错设置。

6.根据权利要求5所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述桥接VDD条线(9)沿纵向间隔设置有多个,并与所述底层VDD条线(7)对应。

7.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VDD条线(5)和桥接VDD条线(9)电连接处设置有多个第一过孔(10)。

8.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述桥接VDD条线(9)和底层VDD条线(7)电连接处设置有多个第二过孔(11)。

9.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VSS条线(6)和底层VSS条线(8)电连接处设置有多个第三过孔(12)。

10.根据权利要求1-9任一项所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层金属层(1)通过所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)连接外部电源,所述底层金属层(4)通过所述底层VDD条线(7)和所述底层VSS条线(8)连接标准单元。

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