[发明专利]一种基于桥接方式的芯片电源网络结构在审
| 申请号: | 202010394505.6 | 申请日: | 2020-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN111584505A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 王锐;余燊鸿;李建军;莫军 | 申请(专利权)人: | 广芯微电子(广州)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
| 地址: | 510700 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 方式 芯片 电源 网络 结构 | ||
1.一种基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,包括依次设置的高层金属层(1)、桥接金属层(2)、绕线金属层(3)和底层金属层(4),所述高层金属层(1)上设置有高层VDD条线(5)和高层VSS条线(6),所述底层金属层(4)上设置有底层VDD条线(7)和底层VSS条线(8),所述桥接金属层(2)设置有桥接VDD条线(9),其中:
所述高层VDD条线(5)通过第一过孔(10)电连接所述桥接VDD条线(9),所述第一过孔(10)设置于所述高层VDD条线(5)对应处,并且所述第一过孔(10)连通高层金属层(1)和桥接金属层(2);
所述桥接VDD条线(9)通过第二过孔(11)电连接所述底层VDD条线(7),所述第二过孔(11)设置于所述高层VSS条线(6)对应处,并且所述第二过孔(11)连通桥接金属层(2)、绕线金属层(3)和底层金属层(4);
所述高层VSS条线(6)通过第三过孔(12)电连接所述底层VSS条线(8),所述第三过孔(12)设置于所述高层VSS条线(6)对应处,并且所述第三过孔(12)连通高层金属层(1)、桥接金属层(2)、绕线金属层(3)和底层金属层(4)。
2.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)与所述底层VDD条线(7)和所述底层VSS条线(8)之间呈纵横交错布置,所述桥接VDD条线(9)的走向与所述底层VDD条线(7)的走向一致。
3.根据权利要求2所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)均设置有多个,并沿横向间隔交错设置。
4.根据权利要求3所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述桥接VDD条线(9)沿横向间隔设置有多个,并且其两端分别与相邻的所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)对应。
5.根据权利要求2所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述底层VDD条线(7)和所述底层VSS条线(8)均设置有多个,并沿纵向间隔交错设置。
6.根据权利要求5所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述桥接VDD条线(9)沿纵向间隔设置有多个,并与所述底层VDD条线(7)对应。
7.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VDD条线(5)和桥接VDD条线(9)电连接处设置有多个第一过孔(10)。
8.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述桥接VDD条线(9)和底层VDD条线(7)电连接处设置有多个第二过孔(11)。
9.根据权利要求1所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层VSS条线(6)和底层VSS条线(8)电连接处设置有多个第三过孔(12)。
10.根据权利要求1-9任一项所述的基于桥接方式的芯片电源网络结构,其特征在于,所述高层金属层(1)通过所述高层VDD条线(5)和所述高层VSS条线(6)连接外部电源,所述底层金属层(4)通过所述底层VDD条线(7)和所述底层VSS条线(8)连接标准单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





