[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括电容器。电容器包括设置在第一金属层中的第一电极和第二电极。第一电极具有第一端和第二端，并且第一电极具有从第一端至第二端向外延伸的螺旋图案。第一电极和第二电极之间具有基本上相等的间隔。

技术领域

本公开总体涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

集成芯片形成在包括数百万或数十亿个晶体管器件的半导体管芯上。晶体管器件被配置为用作开关和/或产生功率增益，以便实现用于集成芯片的逻辑功能(例如，形成被配置为执行逻辑功能的处理器)。集成芯片通常还包括无源器件，例如，电容器、电阻器、电感器、晶体管等。无源器件被广泛用于控制集成芯片的特性(例如，增益、时间常数等)，以及为集成芯片提供广泛的不同功能(例如，在同一管芯上制造模拟和数字电路)。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一电容器，包括：第一电极，所述第一电极设置在第一金属层中并具有第一端和第二端，其中，所述第一电极具有从所述第一端至所述第二端向外延伸的螺旋图案；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第一金属层中，其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有基本上相等的间隔。

根据本公开的另一实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一电极，所述第一电极设置在第一金属层中并具有第一端和第二端，所述第一电极具有多个匝并且从所述第一端向外延伸至所述第二端，所述第一电极包括：第一部分，所述第一部分在平面中沿第一方向纵向延伸；以及第二部分，所述第二部分在所述平面中与所述第一部分共面，并且沿着不与所述第一方向共线的第二方向从所述第一部分延伸；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第一金属层中，其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有基本上相等的间隔。

根据本公开的又一实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成第一阳极和第一阴极，其中，所述第一阳极从所述第一阳极的第一端到第二端螺旋地或多边形地向外延伸，并且所述第一阳极和所述第一阴极之间具有基本上相等的间隔；在所述第一电介质层上形成第二电介质层；以及在所述第二电介质层中形成第二阳极和第二阴极，其中，所述第二阳极从所述第二阳极的第一端到第二端螺旋地或多边形地向外延伸，并且所述第二阳极和所述第二阴极之间具有基本上相等的间隔。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1-图4和图6是根据本公开的各种实施例的半导体器件的平面图。

图5和图7是根据本公开的各种实施例的半导体器件的截面图。

图8A至图8F是根据本公开的一些实施例的制造半导体器件的各个阶段的截面图。

具体实施方式

下面的公开内容提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体示例，以简化本公开。当然，这些仅仅是示例而不意图是限制性的。例如，在下面的说明中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是出于简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，本文中可能使用了空间相关术语(例如，“下方”、“之下”、“低于”、“以上”、“上部”等)，以易于描述图中所示的一个要素或特征相对于另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。器件可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可能被相应地解释。