[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010392643.0 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113178426A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈正龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一电容器，包括：
第一电极，所述第一电极设置在第一金属层中并具有第一端和第二端，其中，所述第一电极具有从所述第一端至所述第二端向外延伸的螺旋图案；以及
第二电极，所述第二电极设置在所述第一金属层中，其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有基本上相等的间隔。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极具有第一端和第二端，其中，所述第二电极从所述第二电极的所述第一端到所述第二电极的所述第二端螺旋地向外延伸。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电极的第一端和所述第二电极的第一端面向相反的方向。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电极的第二端和所述第二电极的第二端面向相反的方向。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极的螺旋图案是阿基米德螺旋。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第二电容器，包括：
第三电极，所述第三电极设置在第二金属层中，其中，所述第三电极与所述第一电极重叠；以及
第四电极，所述第四电极设置在所述第二金属层中，其中，所述第四电极与所述第二电极重叠。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一电极和所述第四电极是阳极，并且所述第二电极和所述第三电极是阴极。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：一对屏蔽板，其中，所述第一电容器和所述第二电容器设置在所述屏蔽板之间。
9.一种半导体器件，包括：
第一电极，所述第一电极设置在第一金属层中并具有第一端和第二端，所述第一电极具有多个匝并且从所述第一端向外延伸至所述第二端，所述第一电极包括：
第一部分，所述第一部分在平面中沿第一方向纵向延伸；以及
第二部分，所述第二部分在所述平面中与所述第一部分共面，并且沿着不与所述第一方向共线的第二方向从所述第一部分延伸；以及
第二电极，所述第二电极设置在所述第一金属层中，其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有基本上相等的间隔。
10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上形成第一电介质层；
在所述第一电介质层中形成第一阳极和第一阴极，其中，所述第一阳极从所述第一阳极的第一端到第二端螺旋地或多边形地向外延伸，并且所述第一阳极和所述第一阴极之间具有基本上相等的间隔；
在所述第一电介质层上形成第二电介质层；以及
在所述第二电介质层中形成第二阳极和第二阴极，其中，所述第二阳极从所述第二阳极的第一端到第二端螺旋地或多边形地向外延伸，并且所述第二阳极和所述第二阴极之间具有基本上相等的间隔。
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