[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置

说明书

本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。所述方法包括：从主机系统接收写入指令；以及根据第一区域的写入放大因子判断将对应写入指令的数据写入至第一区域或第二区域中，其中若判断将数据写入至第二区域中，则在写入数据后将所写入的数据复制至第一区域中。

技术领域

本发明涉及一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。

背景技术

数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

依据每个存储单元可存储的比特数，NAND型快闪存储器模块可分为单阶存储单元(single level cell，SLC)NAND型快闪存储器模块、多阶存储单元(muiti level cell，MLC)NAND型快闪存储器模块以及三阶存储单元(trinary level cell，TLC)NAND型快闪存储器模块，其中SLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元可存储1个比特的数据(即，“1”与“0”)，MLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元可存储2个比特的数据，TLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元可存储3个比特的数据。此外，MLC NAND型快闪存储器模块与TLC NAND型快闪存储器模块的存储单元也可以用来模拟SLC NAND型快闪存储器模块，且MLC NAND型快闪存储器模块与TLC NAND型快闪存储器模块中用来模拟SLC NAND型快闪存储器模块的存储单元仅存储1个比特的数据。

一般来说，可以选择MLC或TLC NAND快闪存储器模块中的某些物理抹除单元来模拟SLC NAND型快闪存储器模块。在将数据写入至MLC或TLC NAND快闪存储器模块的过程中，可以选择被用来模拟SLC NAND型快闪存储器模块的物理抹除单元中的某个物理程序化单元组，并使用第一程序化模式(也称为，单页程序化模式)来将数据写入至所选择的物理程序化单元组中以使得所选择的物理程序化单元组的多个存储单元之中的每一个存储单元存储仅1个比特数据。例如，所选择的物理程序化单元组的多个存储单元中仅使用最低有效比特(Least Significant Bit，LSB)来存储数据。也就是说，若是以MLC或TLC NAND快闪存储器模块来模拟SLC NAND型快闪存储器模块时，在使用第一程序化模式进行写入时只有“下物理程序化单元”能够用以写入(或存储)数据。此外，对应该被用来写入数据的下物理程序化单元的中物理程序化单元及上物理程序化单元并不会被用来存储数据。

需注意的是，由于对下物理程序化单元进行写入的速度较快，故使用MLC或TLCNAND快闪存储器模块来模拟SLC NAND型快闪存储器模块时，通常可以有较高的写入效能。然而，基于快闪存储器物理上的特性，在使用MLC NAND型快闪存储器模块(或TLC NAND型快闪存储器模块)来模拟SLC NAND型快闪存储器模块时，通常会造成快闪存储器模块的损耗，进而降低快闪存储器模块的寿命。例如，该些用来模拟SLC NAND型快闪存储器模块的物理抹除单元的抹除次数(或频率)可能较高，进而造成快闪存储器模块的损耗。

基于上述，如何避免因模拟SLC NAND型快闪存储器模块而降低快闪存储器模块的寿命是此领域技术人员所致力的目标。

发明内容

本发明提出一种数据写入方法，用于存储器存储装置，所述存储器存储装置具有可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个区域，所述多个区域中的每一个区域包括多个物理抹除单元，所述多个物理抹除单元中的每一个物理抹除单元具有多个存储单元。所述数据写入方法包括：从主机系统接收写入指令；以及根据第一区域的写入放大因子判断将对应所述写入指令的数据写入至所述第一区域或第二区域中，其中若判断将所述数据写入至所述第二区域中，则在写入所述数据后将所写入的数据复制至所述第一区域中。