[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置有效

专利信息
申请号: 202010391823.7 申请日: 2020-05-11
公开(公告)号: CN111583976B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 林炳全;黄祥睿;谢秉谕;吴宗儒 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G06F13/16
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 写入 方法 存储器 控制电路 单元 以及 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种数据写入方法,用于存储器存储装置,所述存储器存储装置具有可复写式非易失性存储器模块,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个区域,所述多个区域中的每一个区域包括多个物理抹除单元,所述多个物理抹除单元中的每一个物理抹除单元具有多个存储单元,所述数据写入方法包括:

从主机系统接收写入指令;以及

根据第一区域的写入放大因子判断将对应所述写入指令的数据写入至所述第一区域或第二区域中,其中若判断将所述数据写入至所述第一区域中时,使用第一程序化模式及第二程序化模式对所述第一区域中所述多个存储单元进行程序化,其中以所述第一程序化模式所程序化的存储单元的存储比特数小于以所述第二程序化模式所程序化的存储单元的存储比特数,其中若判断将所述数据写入至所述第二区域中,则在写入所述数据后将所写入的数据复制至所述第一区域中。

2.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中根据所述第一区域的所述写入放大因子判断将对应所述写入指令的所述数据写入至所述第一区域或所述第二区域中的步骤包括:

在所述写入放大因子大于预设阈值时,将所述数据写入至所述第二区域中;以及

在所述写入放大因子不大于所述预设阈值时,将所述数据写入至所述第一区域中。

3.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中使用所述第一程序化模式及所述第二程序化模式对所述第一区域中所述多个存储单元进行程序化的步骤包括:

使用所述第一程序化模式对所述第一区域中所述多个存储单元进行程序化;以及

以复制回操作使用所述第二程序化模式将写入所述第一区域的所述多个物理抹除单元的数据复制至所述第一区域的所述多个物理抹除单元其中之一中。

4.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中若判断将所述数据写入至所述第二区域中时,使用第一程序化模式对所述第二区域中所述多个存储单元进行程序化。

5.根据权利要求4所述的数据写入方法,其中在写入所述数据后将所写入的数据复制至所述第一区域中的步骤包括:

以复制回操作使用第二程序化模式将写入所述第二区域的所述多个物理抹除单元的数据复制至所述第一区域的所述多个物理抹除单元其中之一中。

6.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中所述方法更包括:

根据所述可复写式非易失性存储器模块的生命周期参数判断执行第一写入模式或第二写入模式,

在所述第一写入模式中,将对应所述数据写入至所述第一区域,以及

在所述第二写入模式中,根据所述第一区域的所述写入放大因子判断将所述数据写入至所述第一区域或所述第二区域中。

7.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中所述第一区域的存储单元的存储比特数大于所述第二区域的存储单元的存储比特数。

8.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中所述多个区域分别具有对应的存储容量,并且在计算所述可复写式非易失性存储器模块的空间大小时,所述空间大小不包括所述第二区域对应的所述存储容量。

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