[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202010387363.0 | 申请日: | 2020-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN111508977A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
| 发明(设计)人: | 陈义鹏;皇甫鲁江;刘利宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决显示面板中数据信号的电压跳变会通过寄生电容带动驱动晶体管的栅极电压产生变化,进而导致显示面板部分区域的亮度出现异常的问题。所述显示面板的子像素驱动电路中,驱动晶体管的栅极通过第四导电连接部与第二晶体管的第二极耦接,存储电容的第二极板通过第三导电连接部与第一晶体管的第二极耦接;第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极分别与对应的子像素区中的栅线图形耦接;栅线图形在基底上的正投影与第三导电连接部在基底上的正投影不交叠,和/或栅线图形在基底上的正投影与第四导电连接部在基底上的正投影不交叠。本发明提供的显示面板用于显示画面。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(英文:Active-matrix organic light-emittingdiode,简称:AMOLED)显示面板,以其自发光、低功耗、响应速度快等优点,被广泛的应用在各个领域。AMOLED显示面板包括子像素驱动电路和发光单元,通过子像素驱动电路驱动对应的发光单元发光,以实现显示面板的显示功能。
但是随着显示面板的分辨率越来越高,显示面板中的布局空间越来越小,使得显示面板中布局的子像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极,以及用于为所述子像素驱动电路提供数据信号的数据线图形之间距离较近,容易产生寄生电容。这样当显示面板处于发光状态时,数据信号的电压跳变会通过寄生电容带动驱动晶体管的栅极电压产生变化,进而导致显示面板部分区域的亮度出现异常,影响显示面板的显示质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,用于解决显示面板处于发光状态时,数据信号的电压跳变会通过寄生电容带动驱动晶体管的栅极电压产生变化,进而导致显示面板部分区域的亮度出现异常,影响显示面板的显示质量。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示面板,包括:基底和设置于所述基底上的子像素驱动电路膜层、栅线层、数据线层和导电连接部层,还包括呈阵列分布的多个子像素区;
所述栅线层包括位于各所述子像素区中的栅线图形,所述栅线图形的至少部分沿第一方向延伸;
所述数据线层包括位于各所述子像素区中的数据线图形,所述数据线图形的至少部分沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向相交,所述数据线图形在所述基底上的正投影与所述栅线图形在所述基底上的正投影交叠;
所述导电连接部层包括位于各所述子像素区中的第三导电连接部和第四导电连接部;
子像素驱动电路膜层包括与所述子像素区一一对应的子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括:驱动晶体管、存储电容、第一晶体管和第二晶体管;所述驱动晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板,所述驱动晶体管的栅极通过对应的子像素区中的第四导电连接部与所述第二晶体管的第二极耦接,所述存储电容的第二极板通过对应的子像素区中的第三导电连接部与所述第一晶体管的第二极耦接;所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极分别与对应的子像素区中的栅线图形耦接;所述栅线图形在所述基底上的正投影与所述第三导电连接部在所述基底上的正投影不交叠,和/或所述栅线图形在所述基底上的正投影与所述第四导电连接部在所述基底上的正投影不交叠。
可选的,所述显示面板还包括:
电源信号线层,所述电源信号线层包括位于各所述子像素区中的电源信号线图形,所述电源信号线图形的至少部分沿所述第二方向延伸;
第一屏蔽层,所述第一屏蔽层包括位于各所述子像素区中的第一屏蔽图形,所述第一屏蔽图形与所述电源信号线图形耦接,所述第一屏蔽图形的至少部分沿所述第二方向延伸,所述第一屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述数据线图形在所述基底上的正投影交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





