[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202010387363.0 | 申请日: | 2020-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN111508977A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
| 发明(设计)人: | 陈义鹏;皇甫鲁江;刘利宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:基底和设置于所述基底上的子像素驱动电路膜层、栅线层、数据线层和导电连接部层,还包括呈阵列分布的多个子像素区;
所述栅线层包括位于各所述子像素区中的栅线图形,所述栅线图形的至少部分沿第一方向延伸;
所述数据线层包括位于各所述子像素区中的数据线图形,所述数据线图形的至少部分沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向相交,所述数据线图形在所述基底上的正投影与所述栅线图形在所述基底上的正投影交叠;
所述导电连接部层包括位于各所述子像素区中的第三导电连接部和第四导电连接部;
子像素驱动电路膜层包括与所述子像素区一一对应的子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括:驱动晶体管、存储电容、第一晶体管和第二晶体管;所述驱动晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板,所述驱动晶体管的栅极通过对应的子像素区中的第四导电连接部与所述第二晶体管的第二极耦接,所述存储电容的第二极板通过对应的子像素区中的第三导电连接部与所述第一晶体管的第二极耦接;所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极分别与对应的子像素区中的栅线图形耦接;所述栅线图形在所述基底上的正投影与所述第三导电连接部在所述基底上的正投影不交叠,和/或所述栅线图形在所述基底上的正投影与所述第四导电连接部在所述基底上的正投影不交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
电源信号线层,所述电源信号线层包括位于各所述子像素区中的电源信号线图形,所述电源信号线图形的至少部分沿所述第二方向延伸;
第一屏蔽层,所述第一屏蔽层包括位于各所述子像素区中的第一屏蔽图形,所述第一屏蔽图形与所述电源信号线图形耦接,所述第一屏蔽图形的至少部分沿所述第二方向延伸,所述第一屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述数据线图形在所述基底上的正投影交叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:第三辅助信号线层,所述第三辅助信号线层包括位于各所述子像素区中的第三辅助信号线图形,所述第三辅助信号线图形的至少部分沿第一方向延伸;在同一子像素区中,所述第三辅助信号线图形在所述基底上的正投影与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影形成第四交叠区域,所述第三辅助信号线图形在所述第四交叠区域与所述电源信号线图形耦接;沿所述第一方向位于同一行子像素区中各第三辅助信号线图形依次耦接;
在同一子像素区中,所述第一屏蔽图形与所述第三辅助信号线图形形成为一体结构。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
电源信号线层,所述电源信号线层包括位于各所述子像素区中的电源信号线图形,所述电源信号线图形的至少部分沿所述第二方向延伸;
在同一所述子像素区中,所述电源信号线图形在所述基底上的正投影,位于所述驱动晶体管的栅极在所述基底上的正投影与所述数据线图形在所述基底上的正投影之间。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述电源信号线图形包括相耦接的第一电源部和第二电源部,所述第一电源部沿所述第二方向延伸,所述第二电源部向远离其所在子像素区中的数据线图形的方向突出于所述第一电源部;在垂直于所述第二方向、且平行于所述基底的方向上,所述第一电源部的宽度大于所述第二电源部的宽度;
所述驱动晶体管的第一极在所述基底上的正投影,与对应的子像素区中的所述第一电源部在所述基底上的正投影交叠,所述驱动晶体管的第一极与所述第一电源部在该交叠处耦接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管的第一极包括相耦接的第一电极部和第二电极部,所述第一电极部沿所述第一方向延伸,所述第二电极部沿所述第二方向延伸,所述第二电极部在所述基底上的正投影与对应的子像素区中的数据线图形在所述基底上的正投影交叠,所述第二电极部与对应的子像素区中的数据线图形在该交叠处通过第一连接孔耦接;所述第一连接孔在所述基底上的正投影与所述第二电源部在所述基底上的正投影沿与所述第二方向垂直的方向排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





