[发明专利]存储器件

说明书

提供了一种存储器件。一种存储器件包括：存储单元阵列，其具有可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元耦接到在第一方向上延伸的第一导线以及与第一导线交叉的第二导线，并设置在第一导线与第二导线之间；以及选择电路，其被配置为选择第一导线。第二导线包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的直导线，以及通过直导线与选择电路间隔开的第一弯曲导线，第一弯曲导线彼此平行地延伸并且具有L形状。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年7月31日提交的申请号为10-2019-0093465的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种存储器件，更具体地，涉及一种使用可变电阻材料的存储器件。

背景技术

电子设备，诸如计算机、数码相机和智能手机，可以使用存储系统来处理数据。存储系统可以包括储存数据的存储器件和控制该存储器件的控制器。

各种存储器件趋向于高性能、小型化和低功耗。已经提出了可变电阻存储器件作为下一代存储器件的示例。可变电阻存储器件可以根据施加到存储单元的电压或电流而具有不同的电阻状态，并且可以独立于外部电源而保持储存在存储单元中的电阻状态。可变电阻存储器件的示例包括相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)、电熔丝等。

发明内容

根据一个实施例，一种存储器件可以包括：存储单元阵列，其具有可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元耦接到在第一方向上延伸的第一导线以及与第一导线交叉的第二导线，并设置在第一导线与第二导线之间；以及选择电路，其被配置为选择第一导线。第二导线可以包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的直导线，以及通过直导线与选择电路间隔开的第一弯曲导线，所述第一弯曲导线彼此平行地延伸并且具有L形状。

所述存储器件还可以包括：与直导线耦接的第一接触插塞和与第一弯曲导线耦接的第二接触插塞。第一接触插塞和第二接触插塞中的每一个可以在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸，并且第二接触插塞的电阻可以小于第一接触插塞的电阻。

第二接触插塞中的每个在第二方向上的宽度可以大于第一接触插塞中的每个在第一方向上的宽度。

第二接触插塞中的每个可以包括彼此具有不同电阻率的第一导电材料和第二导电材料。

第一导电材料和第二导电材料中的一个可以与第一接触插塞中的每个所包括的材料相同。

根据一个实施例，一种存储器件可以包括：第一导线，其包括在第一方向上顺序布置的第一部分、第二部分和第三部分；第一可变电阻存储单元，其耦接到第一导线的第一部分并且沿第一方向布置；第二可变电阻存储单元，其耦接到第一导线的第二部分；第三可变电阻存储单元，其耦接到第一导线的第三部分；以及第二导线，其耦接到第一可变电阻存储单元、第二可变电阻存储单元和第三可变电阻存储单元并与第一导线交叉。第二导线可以包括直导线、第一弯曲导线和第二弯曲导线。直导线可以分别耦接到第一可变电阻存储单元。第一弯曲导线可以包括第一单元线部分和第一接触线部分，所述第一单元线部分与所述第二可变电阻存储单元耦接并且与第一导线交叉，所述第一接触线部分从所述第一单元线部分开始沿所述第一方向延伸。第二弯曲导线可以包括第二单元线部分和第二接触线部分，所述第二单元线部分与所述第三可变电阻存储单元耦接并且与第一导线交叉，所述第二接触线部分从第二单元线部分开始朝向直导线延伸。

存储器件还可以包括选择电路，该选择电路连接到第一导线的一端。可以将第一导线的第一部分设置成在第一导线的第一部分、第二部分和第三部分之中最靠近选择电路。

存储器件还可以包括：第一接触插塞，其分别与直导线耦接；以及第二接触插塞，其分别与第一接触线部分和第二接触线部分耦接，并且其电阻小于所述第一接触插塞的电阻。

附图说明