[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储单元阵列，其具有可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元耦接到在第一方向上延伸的第一导线以及与所述第一导线交叉的第二导线，并设置在所述第一导线与所述第二导线之间；以及

选择电路，其被配置为选择所述第一导线，

其中，所述第二导线包括：

在第二方向上延伸的直导线，所述第二方向与所述第一方向交叉；以及

第一弯曲导线，其通过所述直导线与所述选择电路间隔开，所述第一弯曲导线彼此平行地延伸并且具有L形状。

2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

第一接触插塞，其耦接到所述直导线并在第三方向上延伸，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；以及

第二接触插塞，其耦接到所述第一弯曲导线并在所述第三方向上延伸，所述第二接触插塞的电阻小于所述第一接触插塞的电阻。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第二接触插塞中的每个在所述第二方向上的宽度大于所述第一接触插塞中的每个在所述第一方向上的宽度。

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第二接触插塞中的每个包括第一导电材料和第二导电材料，所述第一导电材料与所述第二导电材料具有不同的电阻率。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的一个与所述第一接触插塞中的每个所包括的材料相同。

6.根据权利要求2所述的存储器件，

其中，所述直导线包括在所述第一方向上交替布置的第一直导线和第二直导线，

其中，所述第一接触插塞被划分为与所述第一直导线耦接的第一组以及与所述第二直导线耦接的第二组，以及

其中，所述存储单元阵列设置在所述第一接触插塞的第一组与所述第一接触插塞的第二组之间。

7.根据权利要求1所述的存储器件，

其中，所述第一弯曲导线包括第一单元线部分和第一接触线部分，所述第一接触线部分分别从所述第一单元线部分开始延伸，

其中，所述第一单元线部分在所述第二方向上延伸并且被布置成在所述第一方向上彼此间隔开，以及

其中，所述第一接触线部分在所述第一方向上延伸并且被布置成在所述第二方向上彼此间隔开。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，在所述第一接触线部分的相邻两个之间的距离大于在所述第一单元线部分的相邻两个之间的距离以及在所述直导线的相邻两个之间的距离。

9.根据权利要求7所述的存储器件，还包括：

第一接触插塞，其耦接到所述直导线；以及

第二接触插塞，其耦接到所述第一接触线部分并且其电阻小于所述第一接触插塞的电阻。

10.根据权利要求1所述的存储器件，

其中，所述第二导线还包括与所述第一导线交叉的第二弯曲导线，

其中，所述第一弯曲导线在所述第一方向上设置在所述第二弯曲导线与所述直导线之间，

其中，所述第二弯曲导线包括与所述直导线平行的第二单元线部分和分别从所述第二单元线部分开始朝向所述直导线延伸的第二接触线部分，

其中，所述第二单元线部分被布置成在所述第一方向上彼此间隔开，以及

其中，所述第二接触线部分被布置成在所述第二方向上彼此间隔开。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，在所述第二接触线部分的相邻两个之间的距离大于在所述第二单元线部分的相邻两个之间的距离以及在所述直导线的相邻两个之间的距离。

12.根据权利要求10所述的存储器件，还包括：

第一接触插塞，其耦接到所述直导线；以及

第二接触插塞，其耦接到所述第二接触线部分并且其电阻小于所述第一接触插塞的电阻。