[发明专利]发光装置的制备方法及发光装置在审

专利信息
申请号: 202010380395.8 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN111524913A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 安徽省徽腾智能交通科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368
代理公司: 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 代理人: 陈文龙
地址: 234000 安徽省宿*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:

提供柔性第一基板,

柔性衬底层叠于所述柔性第一基板上,

在所述柔性衬底上溅射氮氧化铝形成第一绝缘膜,在所述第一绝缘膜的第一预定区域沉积氧化硅以形成第二绝缘膜,

加热所述第二绝缘膜到预定温度后,在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜,

在第一侧的所述第一绝缘膜及其向相对于第一侧的第二侧方向延伸的部分非晶体氧化物半导体膜上表面溅射第一导电层,掩模蚀刻所述第一导电层形成源极,

在第二侧的所述第一绝缘膜及其向相对于第二侧的第一侧方向延伸的部分非晶体氧化物半导体膜上表面溅射第二导电层,掩模蚀刻所述第二导电层形成漏极,

对第一导电层和第二导电层下的非晶体氧化物半导体膜引入第一掺杂剂,

在第一导电层、非晶体氧化物半导体膜和第二导电层上溅射形成氧化镓膜,掩模蚀刻氧化镓膜使得在位于非晶体氧化物半导体膜正上方的第二预定区域形成第三绝缘膜,

在第三绝缘膜上溅射包含氧化钨的铟锌氧化物以形成栅极,

在第一导电层、非晶体氧化物半导体膜、栅极和第二导电层上溅射氧化镧膜形成第四绝缘膜,

经由第四绝缘膜、源极及漏极对非晶体氧化物半导体膜引入第二掺杂剂形成小于非晶体氧化物半导体膜平均电阻的第一电阻区域,在氮氛围下在350℃-400℃加热第一电阻区域一个小时形成薄膜晶体管,

所述薄膜晶体管上层叠用于绝缘的磷硅玻璃层,所述磷硅玻璃层的上表面抛光处理形成水平表面且使得表面粗糙度小于1纳米,

磷硅玻璃层上形成与所述漏极电连接的第一电极层,

第一电极层上经由感光树脂形成位于第一侧的第一绝缘隔离层和相对于第一侧的第二侧的第二绝缘隔离层,所述第一绝缘隔离层包括第一倾斜曲面和第二绝缘隔离层包括第二倾斜曲面,第一倾斜曲面和第二倾斜曲面相向布置,

自第一倾斜曲面沿着第一电极层延伸于第二绝缘隔离层的表面上形成电致发光层,

第二电极层层叠于所述第一隔离绝缘层和电致发光层上,

柔性第二基板经由热固性树脂层夹持所述第二电极层后经由密封层密封形成发光装置。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,非晶体氧化物半导体膜尺寸等于第二绝缘膜。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,加热所述第二绝缘膜到150℃-180℃后,抛光处理所述第二绝缘膜表面,使得其平均表面粗糙度小于0.06nm,在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,非晶体氧化物半导体膜包括In2SnO5(ZnO)3

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一掺杂剂为氯化锌离子,其经由离子掺杂方式引入,所述第二掺杂剂为硼离子,其经由离子植入方式引入。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一导电层、非晶体氧化物半导体膜和第二导电层经由平坦化处理后,在其上溅射形成氧化镓膜。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电致发光层的上下表面设有氮氧化硅膜。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述柔性衬底上形成多个薄膜晶体管,其包括三栅极结构。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述柔性第一基板和/或柔性第二基板由玻璃纤维强化塑胶材料、聚氟乙烯薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸树脂薄膜制成。

10.一种发光装置,其特征在于,其经由如权利要求1-9中任一项所述的方法形成。

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