[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装包含：

衬底，具有第一表面及与所述衬底之所述第一表面相对之第二表面；

第一电性传导层(electrically conductive layer)，设置于所述衬底之所述第一表面上方；

绝缘层，设置于所述衬底之所述第一表面上方；及

磁性传导层(magnetically permeable layer)，设置于所述第一电性传导层与所述绝缘层之间，其中所述磁性传导层具有面对所述衬底之所述第一表面的底表面、与所述衬底之所述第一表面相对之顶表面、及在所述磁性传导层之所述底表面与所述磁性传导层之所述顶表面之间延伸(extended between)的侧表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述磁性传导层与所述第一电性传导层直接接触(directly contact with)。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述绝缘层具有在所述衬底之所述第一表面上方的第一高度，所述磁性传导层具有在所述衬底之所述第一表面上方的第二高度，所述第一高度大于所述第二高度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述第二高度小于所述第一高度的百分之六十(60％)。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述电性传导层具有第一部分及与所述第一部分间隔开(spaced apart from)的第二部分，其中所述磁性传导层具有一部分位于所述第一部分及所述第二部分之间。

6.一种半导体装置封装之制造方法，包含：

提供衬底；

于所述衬底上形成图案化金属层；及

于所述衬底上形成磁性材料以覆盖(cover)所述图案化金属层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装之制造方法，其中形成磁性材料以覆盖所述图案化金属层包含将所述磁性材料填入所述图案化金属层所界定的凹槽中。

8.根据权利要求6所述的半导体装置封装之制造方法，其中形成磁性材料以覆盖所述图案化金属层包含实施一钢板印刷制程。

9.根据权利要求6所述的半导体装置封装之制造方法，进一步包含：

将所述磁性材料预固化(pre curing)；及

于所述经预固化的磁性材料上形成绝缘层以覆盖所述经预固化的磁性材料。

10.根据权利要求9所述的半导体装置封装之制造方法，其中于所述经预固化的磁性材料上形成绝缘层包含一压合制程，且经所述压合制程后，绝缘层之上表面高于所述经预固化的磁性材料之上表面。