[发明专利]应用于发射机的阻抗校准电路

权利要求书

1.一种应用于发射机的阻抗校准电路，其特征在于：所述应用于发射机的阻抗校准电路包括：

工艺检测电路，所述工艺检测电路用于输出仅与MOS管的工艺相关的电压信号和仅与电阻的工艺相关的电压信号；

温度检测电路，所述温度检测电路用于输出仅与温度相关的电压信号；

ADC，所述ADC分别与所述工艺检测电路、所述温度检测电路相连接，所述ADC用于分别将所述工艺检测电路、所述温度检测电路的输出信号进行数字化而得到对应的控制字；

上拉/下拉网络译码器，所述上拉/下拉网络译码器与所述ADC相连接，所述上拉/下拉网络译码器用于根据所述控制字分别输出上拉控制信号和下拉控制信号；

校准电路，所述校准电路与所述上拉/下拉网络译码器相连接，所述校准电路包括若干个上拉校准电路和若干个下拉校准电路；所述上拉校准电路包括一个恒开的上拉粗调管、n个并联的上拉细调管和上拉数据输入管，所述上拉粗调管与n个所述上拉细调管并联构成上拉管阵列，所述上拉管阵列的两端分别连接工作电源和所述上拉数据输入管的一端，所述上拉数据输入管的另一端连接至所述校准电路的输出端；所述下拉校准电路包括一个恒开的下拉粗调管、n个并联的下拉细调管、下拉数据输入管和串联电阻，所述下拉粗调管与n个所述下拉细调管并联构成下拉管阵列，所述串联电阻、所述下拉数据输入管、所述下拉管阵列依次串联并连接在所述校准电路的输出端与地之间；

所述工艺检测电路包括：

MOS管工艺检测电路，所述MOS管工艺检测电路用于输出仅与MOS管的工艺相关的电压信号；

电阻工艺检测电路，所述电阻工艺检测电路用于输出仅与电阻的工艺相关的电压信号；

所述电阻工艺检测电路与所述温度检测电路部分复用而构成复用检测电路；

所述MOS管工艺检测电路包括：

第一启动电路，所述第一启动电路与工作电源相连接，所述第一启动电路用于使所述MOS管工艺检测电路启动检测；

PTAT电流源产生电路，所述PTAT电流源产生电路与所述第一启动电路相连接，所述PTAT电流源产生电路用于产生PTAT电流信号；

MOS管工艺相关电压信号输出电路，所述MOS管工艺相关电压信号输出电路与所述PTAT电流源产生电路相连接，所述MOS管工艺相关电压信号输出电路用于基于所述PTAT电流信号产生仅与MOS管的工艺相关的电压信号；

所述MOS管工艺相关电压信号输出电路包括分别连接在工作电源与地之间的第一支路和第二支路；所述第一支路包括串联的第一PMOS管、第一电阻、第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极和漏极相连接，所述第一PMOS管和所述第一电阻的连接节点构成所述MOS管工艺相关电压信号输出电路的第一输出端；所述第二支路包括串联的第二PMOS管、第二电阻和第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连接，所述第二电阻和所述第二NMOS管的连接节点构成所述MOS管工艺相关电压信号输出电路的第二输出端。

2.根据权利要求1所述的应用于发射机的阻抗校准电路，其特征在于：所述复用检测电路包括：

第二启动电路，所述第二启动电路与工作电源相连接，所述第二启动电路用于使所述复用检测电路启动检测；

PTAT/PTAT+CTAT电流源产生电路，所述PTAT/PTAT+CTAT电流源产生电路与所述第二启动电路相连接，所述PTAT/PTAT+CTAT电流源产生电路用于在不同的工作模式下分别产生PTAT电流信号或者PTAT与CTAT复合电流信号，所述PTAT/PTAT+CTAT电流源产生电路包括基于模式切换信号而切换所述PTAT/PTAT+CTAT电流源产生电路的工作模式的切换电路；

温度相关电压信号输出电路，所述温度相关电压信号输出电路与所述PTAT/PTAT+CTAT电流源产生电路相连接，所述温度相关电压信号输出电路用于基于所述PTAT电流信号产生仅与温度相关的电压信号；

电阻工艺相关电压信号输出电路，所述电阻工艺相关电压信号输出电路与所述PTAT/PTAT+CTAT电流源产生电路相连接，所述电阻工艺相关电压信号输出电路用于基于所述PTAT与CTAT复合电流信号产生仅与电阻的工艺相关的电压信号。