[发明专利]宽范围提高电参数修调精度电路

权利要求书

1.宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，包括用于第二修调点修调的主体电路和连接所述主体电路的用于第一修调点修调的附加电路，所述主体电路包括依次串联的检测电路、第一电流镜、第二电流镜和第一电流判断模块，所述附加电路包括修调开关阵列和第二电流判断模块，所述第一电流镜与所述第二电流镜的串联节点连接所述修调开关阵列，所述修调开关阵列连接所述第二电流判断模块，所述第二电流判断模块根据从所述检测电路采集的感应电流确定是否输出调整电流，所述修调开关阵列根据所述调整电流确定是否产生修调电流，如果产生修调电流则所述修调电流与所述调整电流成比例，所述修调电流通过灌入所述第一电流镜的镜像管或从所述第二电流镜的被镜像管拉入以形成对第一修调点的正负修调。

2.根据权利要求1所述的宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，所述第一电流镜的被镜像管是第一NMOS管，所述第一电流镜的镜像管是第二NMOS管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管栅端互连后连接所述第一NMOS管的漏端，所述第一NMOS管的漏端连接所述检测电路，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管源端互连后连接接地端。

3.根据权利要求2所述的宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，所述第二电流镜的被镜像管是第三PMOS管，所述第二电流镜的镜像管是第四PMOS管，所述第二NMOS管的漏端分别连接所述第三PMOS管的漏端、所述第三PMOS管的栅端和所述第四PMOS管的栅端，所述第四PMOS管的源端和所述第三PMOS管的源端均连接输入电压端，所述第四PMOS管的漏端连接所述第一电流判断模块，所述第一电流判断模块输出判断信号。

4.根据权利要求2所述的宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，所述第二NMOS管的漏源电流与所述第一NMOS管的漏源电流之比为1:K1，K1大于1。

5.根据权利要求3所述的宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，所述第四PMOS管的源漏电流与所述第三PMOS管的源漏电流之比为1:K2，K2大于1。

6.根据权利要求1所述的宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，所述电参数为电流参数或电压参数。