[发明专利]一种数据存储方法及相关设备

说明书

本发明实施例公开了一种数据存储方法及相关设备，应用于存储设备，所述存储设备为非易失性存储器，至少包括第一存储区域和第二存储区域，所述方法包括：接收针对目标数据的写命令，所述写命令包括所述目标数据的数据类型标识；根据所述写命令，将所述目标数据以及所述数据类型标识写入到所述第一存储区域中；若所述目标数据所占用的存储空间需要被回收，根据所述数据类型标识识别所述目标数据的数据类型；若确定所述目标数据为所述第一类型，则将所述目标数据保留在所述第一存储区域中；若确定所述目标数据为所述第二类型，则将所述目标数据搬移至所述第二存储区域中。采用本发明实施例可以提升数据的读写性能。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种数据存储方法及相关设备。

背景技术

随着存储技术的不断发展，以快闪记忆体(NAND Flash)为存储介质的闪存存储器逐渐成为主流存储形态。NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，该存储介质的特点是断电后数据不消失。目前，根据存储原理的不同，NAND Flash主要包括如下类型：单层单元(Single-Level Cell，SLC)、多层单元(Multi-Level Cell，MLC)和三层单元(Triple-Level Cell，TLC)等。其中，

(1)SLC只存在0和1两个充电值，即1个存储单元可存放1bit的数据(1bit percell)，约10万次擦写寿命。SLC的这种设计提高了耐久性、准确性和存储性能，其特点是成本高、容量小、读写速度快。

(2)MLC存在00、01、10和11四个充电值，即1个存储存单元可存放2bit的数据(2bitper cell)，约1万次擦写寿命。MLC相对SLC来说容量整整多了一倍，但它的代价是使用寿命降低、可靠性降低，总的来说，其特点是成本一般、容量一般、读写速度相对SLC慢很多。

(3)TLC存在000、001、010、011、100、101、110和111八个充电值，即1个储存单元可存放3bit的数据(3bit per cell)，约5000次擦写寿命。TLC相对SLC来说容量整整多了两倍，但它的代价同样是使用寿命更低，可靠性更低，总的来说，其特点是成本低、容量大、读写速度相对SLC和MLC都要慢很多，通常用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。

基于上述SLC的存储速度快、但成本高，而MLC/TLC的成本低、但存储速度慢的特点，现有技术中，尤其是在移动终端的应用中，引入了SLC缓冲(SLCBuffer)技术。SLCBuffer技术是在闪存存储器加入高性能的SLC写入缓冲区，在需要写入数据时，主机(Host)侧会先把数据写入到闪存存储器中的SLC缓冲区；在闪存存储器处于空闲的时候，再将数据从SLC缓冲区搬到真正储存数据的地方—TLC存储区。该技术的核心内容就是引入SLC和TLC的组合，利用SLC快速读写的特点来提升基于TLC的闪存存储器的性能，让用户在写入开始阶段会有极速的体验。

然而，在实际的用户使用场景中，闪存存储器除了写数据还会读数据，在上述应用了SLCBuffer技术的闪存存储器中，当数据从TLC存储区域中读出时，依然会暴露其读速度慢的缺陷，进而影响闪存存储器的整体性能以及用户体验。因此，如何提供一种成本低、读写性能更优的闪存存储器是亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种数据存储方法及相关设备，以提升存储数据的读写性能。