[发明专利]一种数据存储方法及相关设备在审

专利信息
申请号: 202010371512.4 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN113590501A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 金龙 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强;李稷芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 存储 方法 相关 设备
【权利要求书】:

1.一种数据存储方法,其特征在于,应用于存储设备,所述存储设备为非易失性存储器,至少包括第一存储区域和第二存储区域,所述第一存储区域的存储性能优于所述第二存储区域;所述方法包括:

接收针对目标数据的写命令,所述写命令包括所述目标数据的数据类型标识;

根据所述写命令,将所述目标数据以及所述数据类型标识写入到所述第一存储区域中;

若所述目标数据所占用的存储空间需要被回收,根据所述数据类型标识识别所述目标数据的数据类型;所述数据类型包括第一类型和第二数据类型;

若确定所述目标数据为所述第一类型,则将所述目标数据保留在所述第一存储区域中;若确定所述目标数据为所述第二类型,则将所述目标数据搬移至所述第二存储区域中;其中,所述第一类型的数据的存储性能需求高于所述第二类型的数据。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

接收针对所述目标数据的读命令;

若所述目标数据为所述第一类型,则控制从所述第一存储区域中读出所述目标数据;

若所述目标数据为所述第二类型,则控制从所述第二存储区域中读出所述目标数据。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述存储设备为通用闪存存储器UFS、嵌入式多媒体卡eMMC、通用闪存存储多芯片封装uMCP存储器,嵌入式多媒体卡多芯片封装eMCP存储器中的一种或多种;所述第一存储区域包括单层单元SLC存储区域、快速与非FastNAND存储器、相变存储器PCM、3D堆叠相变存储器X3D中的一种或多种,所述第二存储区域包括多层单元MLC存储区域、三层单元TLC存储区域、四层单元QLC存储区域、五层单元PLC存储区域中的一种或多种。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将所述目标数据以及所述数据类型标识写入到所述第一存储区域中,包括:将所述目标数据以及所述数据类型标识写入到所述第一存储区域中的第一存储块Block中;

所述若确定所述目标数据为所述第一类型,则将所述目标数据保留在所述第一存储区域中,包括:

若确定所述目标数据为所述第一类型,则将所述目标数据和所述数据类型标识从所述第一存储区域中的第一Block搬移到所述第一存储区域中的第二Block中。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一存储区域包括SLC存储区域;所述SLC存储区域包括静态SLC存储区域和动态SLC存储区域;

所述第一Block为所述静态SLC存储区域中的Block,所述第二Block为所述动态SLC存储区域中的Block;或者,

所述第一Block为所述动态SLC存储区域中的Block,所述第二Block为所述静态SLC存储区域中的Block,或者,

所述第一Block和所述第二Block均为所述静态SLC存储区域中的Block;或者,

所述第一Block和所述第二Block均为所述扩展的动态SLC存储区域中的Block。

6.如权利要求1-5任意一项所述的方法,其特征在于,所述若确定所述目标数据为所述第二类型,则将所述目标数据搬移至所述第二存储区域中,包括:

若确定所述目标数据类型为所述第二类型,则将所述目标数据以及所述数据类型标识重新写入到所述第二存储区域中,并将所述第一存储区域中的所述目标数据设置为无效。

7.如权利要求1-6任意一项所述的方法,其特征在于,所述存储性能包括随机读性能、随机写性能以及存储寿命中的一种或多种。

8.如权利要求1-7任意一项所述的方法,其特征在于,所述第一类型的数据包括文件系统元数据、高频访问数据库、交换区SWAP数据中的一种或多种。

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