[发明专利]基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法

说明书

本公开提供了一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法，包括：步骤A.版图读入；步骤B.CMP模拟，初步确定CMP局部缺陷产生条件；步骤C.根据步骤B进行CMP敏感区域的提取，并将多边形敏感区域分割；步骤D.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域外，建立一级网格；步骤E.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域和步骤D建立的一级网格间，建立二级网格；步骤F.等效参数提取。本公开能够准确地检测并处理CMP工艺中的局部不平坦性问题，能够更加准确的检测CMP工艺中的局部缺陷问题，并对检测到的缺陷进行处理，有效规避芯片表面的局部区域的缺陷。

技术领域

本公开涉及芯片的可制造性领域，尤其涉及一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法。

背景技术

化学机械研磨工艺(CMP)导致的蝶形缺陷(dishing)问题是目前芯片平坦化工艺中存在的关键问题。现有的化学机械研磨工艺缺陷检测主要利用CMP材料去除理论结合实际的工艺条件预测CMP工艺后表面形貌。这一方法首先将整个版图划分为若干个网格，其次按照某一特定方法获得等效线宽、等效间距、等效密度参数。目前等效线宽和等效间距的计算方法仅有MIT研究小组提出的一种方法，首先保证等效后网格内部金属线保持同样的面积和周长，并以金属线的线宽为权重系数，计算等效参数。可以看到，传统方法处理对象为网格，等效参数本质上是该参数在网格内部的加权平均值。因此很难检测和处理存在于芯片表面的局部区域的缺陷。

因此，开发一种新的基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷检测和处理技术势在必行。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法，以至少部分解决以上所提出的技术问题。

(二)技术方案

根据本公开的一个方面，提供了一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法，包括：

步骤A.版图读入，获取版图内部结构信息；

步骤B.CMP模拟，初步确定CMP局部缺陷产生条件；

步骤C.根据步骤B进行CMP敏感区域的提取，并将多边形敏感区域分割为矩形和三角形组合，获得待处理空白区域矩形集；

步骤D.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域外，建立一级网格；

步骤E.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域和步骤D建立的一级网格间，建立二级网格；

步骤F.等效参数提取。

在本公开的一些实施例中，所述步骤F后还包括：

步骤G.CMP模拟判定是否产生局部缺陷，并标注缺陷位置和结构信息，进行冗余金属填充。

在本公开的一些实施例中，所述步骤B中确定CMP局部缺陷产生条件为间距大于最小不可填充距离d时将产生CMP局部缺陷。

在本公开的一些实施例中，所述步骤E包括：

步骤E1：设定一级网格的初始长度为GL₀，二级网格的长度差值为ΔGL′，一级网格长度为GL，一级网格宽度为GW，整数值N＞2；

步骤E2：判断是否GW≥S+N×ΔGL′；如果是，则以矩形敏感区域St_i形心为中心，GL为矩形二级网格长度GL′，GL₀+2×ΔGL′为矩形二级网格宽度GW′，划分二级网格G′_i；