[发明专利]基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法在审
申请号: | 202010369784.0 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111581810A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 曹鹤;陈岚;徐勤志;孙艳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06T7/11;G06T7/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 多重 自由 网格 化学 机械 研磨 工艺 缺陷 处理 方法 | ||
1.一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法,包括:
步骤A.版图读入,获取版图内部结构信息;
步骤B.CMP模拟,初步确定CMP局部缺陷产生条件;
步骤C.根据步骤B进行CMP敏感区域的提取,并将多边形敏感区域分割为矩形和三角形组合,获得待处理空白区域矩形集;
步骤D.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域外,建立一级网格;
步骤E.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域和步骤D建立的一级网格间,建立二级网格;
步骤F.等效参数提取。
2.根据权利要求1所述的基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法,其中,所述步骤F后还包括:
步骤G.CMP模拟判定是否产生局部缺陷,并标注缺陷位置和结构信息,进行冗余金属填充。
3.根据权利要求1所述的基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法,其中,所述步骤B中确定CMP局部缺陷产生条件为间距大于最小不可填充距离d时将产生CMP局部缺陷。
4.根据权利要求1所述的基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法,其中,所述步骤E包括:
步骤E1:设定一级网格的初始长度为GL0,二级网格的长度差值为ΔGL′,一级网格长度为GL,一级网格宽度为GW,整数值N>2;
步骤E2:判断是否GW≥S+N×ΔGL′;如果是,则以矩形敏感区域Sti形心为中心,GL为矩形二级网格长度GL′,GL0+2×ΔGL′为矩形二级网格宽度GW′,划分二级网格G′i;
步骤E3:如果否,则调整一级网格宽度,使得GW=S+N×ΔGL′;并以矩形敏感区域Sti形心为中心,GL为矩形二级网格长度GL′,GL+2×ΔGL′为矩形二级网格宽度GW′,划分二级网格G′i。
5.根据权利要求1所述的基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法,其中,所述步骤F包括:
步骤F1:简化二级网格内中心区结构信息,
其中,Ai为二级网格内第i个金属线的面积;
步骤F2:简化邻近区结构信息,周边结构密度为
其中,Stotal为一级网格内金属线总面积;
步骤F3:导入工艺信息;
步骤F4:利用接触力学理论计算,改变结构信息,计算中心区上表面压力Pup和下表面压力Pdown并拟合,则在步骤A条件下有:
其中,Pe为网格内金属线总周长,W1为中心区线宽,S1为中心区金属线间距,W2为邻近区线宽,S2为邻近区金属线间距,Pe为网格内金属线总周长;
步骤F5:利用步骤F4相同方法,计算标准结构,待处理网格内部仅由一组等效线宽W3、等效间距S3的结构组成时的上表面压力Pup和下表面压力Pdown,并获得关系式:
步骤F6:假定公式(3)=(5),(4)=(6),解此方程组即可获得等效线宽和等效间距。
6.根据权利要求2所述的基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法,其中,所述步骤G包括:
步骤G1:以敏感区域中心点为中心,D为正方形边长,划分自由网格;
步骤G2:利用步骤D确定的网格内部等效参数,并进行CMP模拟,判断是否产生CMP局部缺陷;
步骤G3:标注缺陷位置和结构信息;
步骤G4:根据步骤G3进行冗余金属填充。
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