[发明专利]一种半导体封装器件

说明书

本申请公开了一种半导体封装器件，该半导体封装器件包括：封装基板、电连接结构、连接芯片、第一芯片和第二芯片，其中，第一芯片和第二芯片同层设置于封装基板一侧，且第一芯片和第二芯片的功能面朝向封装基板，第一芯片和第二芯片的功能面上的信号传输区靠近设置，信号传输区相对功能面上的非信号传输区远离封装基板；电连接结构位于封装基板与非信号传输区之间，且与封装基板和非信号传输区电连接；连接芯片位于第一芯片和第二芯片的信号传输区与封装基板之间，且连接芯片的功能面朝向信号传输区并与信号传输区电连接。通过上述方式，本申请能够降低封装成本，提高半导体封装器件的性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体封装器件。

背景技术

现有的芯片封装技术所封装的半导体封装器件，其芯片通常通过硅中介板与基板进行连接，该半导体封装器件的电性能和热传导性能均表现优异，但是成本较高，且硅中介板脆性较高，导致封装器件的稳定性较低。因此，需要结合现有封装技术的优点，发展一种新的封装技术，形成一种新的半导体封装器件，能够降低成本，且形成的半导体封装器件的性能优异。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种半导体封装器件，能够降低封装成本，提高半导体封装器件的性能。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体封装器件，该半导体封装器件包括：封装基板、电连接结构、连接芯片、第一芯片和第二芯片；其中，第一芯片和第二芯片，同层设置于所述封装基板一侧，且所述第一芯片和所述第二芯片的功能面朝向所述封装基板，所述第一芯片和所述第二芯片的功能面上的信号传输区靠近设置，所述信号传输区相对所述功能面上的非信号传输区远离所述封装基板；电连接结构，位于所述封装基板与所述非信号传输区之间，且与所述封装基板和所述非信号传输区电连接；连接芯片，位于所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区与所述封装基板之间，且所述连接芯片的功能面朝向所述信号传输区并与所述信号传输区电连接。

其中，所述半导体封装器件还包括：多个第一导电柱，分别设置于所述连接芯片的功能面的连接焊盘上，所述第一导电柱的两端分别与所述信号传输区和所述连接焊盘电连接。

其中，所述半导体封装器件还包括：第一底填胶，覆盖所述连接芯片的所述功能面朝向所述信号传输区一侧，所述第一导电柱位于所述第一底填胶内。

其中，所述电连接结构包括：多个第二导电柱，分别位于所非信号传输区的焊盘上，且与所述非信号传输区的焊盘电连接；多个第一焊球，分别位于所述第二导电柱面向所述封装基板的端部，所述第一焊球、所述第二导电柱和所述封装基板电连接。

其中，所述电连接结构包括：第一再布线层，位于所述非信号传输区表面，且与所非信号传输区的焊盘电连接；多个第二焊球，位于所述第一再布线层与所述封装基板之间，其一端与所述第一再布线层电连接，其另一端与所述封装基板电连接。

其中，所述电连接结构，包括：第二再布线层，位于所述封装基板面向所述非信号传输区表面，且与所述封装基板电连接；多个第三焊球，位于所述第二再布线层与所述非信号传输区之间，其一端与所述第二再布线层电连接，其另一端与所述非信号传输区电连接。

其中，所述半导体封装器件还包括：第二底填胶，连续覆盖所述电连接结构的侧面。

其中，所述封装基板面向所述第一芯片和所述第二芯片的第一表面平整，所述连接芯片的非功能面与所述第一表面之间具有间隙或直接接触。

其中，所述封装基板面向所述第一芯片和所述第二芯片的第一表面具有凹槽，至少部分所述连接芯片位于所述凹槽内。

其中，所述半导体封装器件还包括：塑封层，连续覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的侧面。