[发明专利]一种半导体封装器件在审

专利信息
申请号: 202010367784.7 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN111554656A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 李骏;戴颖 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/535;H01L23/48;H01L23/52;H01L25/065
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体封装器件,其特征在于,所述半导体封装器件包括:

封装基板;

第一芯片和第二芯片,同层设置于所述封装基板一侧,且所述第一芯片和所述第二芯片的功能面朝向所述封装基板,所述第一芯片和所述第二芯片的功能面上的信号传输区靠近设置,所述信号传输区相对所述功能面上的非信号传输区远离所述封装基板;

电连接结构,位于所述封装基板与所述非信号传输区之间,且与所述封装基板和所述非信号传输区电连接;

连接芯片,位于所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区与所述封装基板之间,且所述连接芯片的功能面朝向所述信号传输区并与所述信号传输区电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其特征在于,还包括:

多个第一导电柱,分别设置于所述连接芯片的功能面的连接焊盘上,所述第一导电柱的两端分别与所述信号传输区和所述连接焊盘电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体封装器件,其特征在于,还包括:

第一底填胶,覆盖所述连接芯片的所述功能面朝向所述信号传输区一侧,所述第一导电柱位于所述第一底填胶内。

4.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其特征在于,所述电连接结构包括:

多个第二导电柱,分别位于所非信号传输区的焊盘上,且与所述非信号传输区的焊盘电连接;

多个第一焊球,分别位于所述第二导电柱面向所述封装基板的端部,所述第一焊球、所述第二导电柱和所述封装基板电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其特征在于,所述电连接结构包括:

第一再布线层,位于所述非信号传输区表面,且与所非信号传输区的焊盘电连接;

多个第二焊球,位于所述第一再布线层与所述封装基板之间,其一端与所述第一再布线层电连接,其另一端与所述封装基板电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其特征在于,所述电连接结构,包括:

第二再布线层,位于所述封装基板面向所述非信号传输区表面,且与所述封装基板电连接;

多个第三焊球,位于所述第二再布线层与所述非信号传输区之间,其一端与所述第二再布线层电连接,其另一端与所述非信号传输区电连接。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体封装器件,其特征在于,还包括:

第二底填胶,连续覆盖所述电连接结构的侧面。

8.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其特征在于,

所述封装基板面向所述第一芯片和所述第二芯片的第一表面平整,所述连接芯片的非功能面与所述第一表面之间具有间隙或直接接触。

9.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其特征在于,

所述封装基板面向所述第一芯片和所述第二芯片的第一表面具有凹槽,至少部分所述连接芯片位于所述凹槽内。

10.根据权利要求1所述的半导体封装器件,其特征在于,还包括:

塑封层,连续覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的侧面。

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