[发明专利]一种半导体级异丙醇的纯化方法在审

专利信息
申请号: 202010358000.4 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111574326A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 乔正收 申请(专利权)人: 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
主分类号: C07C29/74 分类号: C07C29/74;C07C29/82;C07C29/86;C07C29/76;C07C31/10
代理公司: 南京创略知识产权代理事务所(普通合伙) 32358 代理人: 吕娟
地址: 212006 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 异丙醇 纯化 方法
【说明书】:

发明公开一种半导体级异丙醇的纯化方法,包括调节pH值、离子净化处理、脱水处理、共沸精馏、萃取过滤及回收净化等步骤得到半导体级的异丙醇。即通过将工业级的异丙醇原料经离子净化脱水处理后,经精细控制精馏温度,严格控制共沸点,剥离异丙醇原料中的水分。并经过萃取塔进一步拦截馏分中的水分和离子体,再经净化收集器纳滤膜进一步净化杂质,获得高纯度的异丙醇。经本发明方法获得异丙醇主体含量达99.99%,水含量、阳离子含量及阴离子含量均符合国际半导体设备和材料组织制定的化学材料12级标准,可用于半导体、大规模集成电路装配和加工过程中的清洗、干燥等方面。

技术领域

本发明涉及一种半导体级异丙醇的纯化方法。

背景技术

自1833年,英国科学家电子学之父法拉第首次发现硫化银的电阻是随着温度的上升而降低这一半导体现象以来,关于半导体的研究及应用便发展。一般而言,半导体(semiconductor)是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体的生产一般会经历流片、封装和测试三大工序,其中流片工序又包括切片、磨片、抛光、外延、氧化等制造工序。在这些半导体制造工序中,机台、操作面板等要保持绝对的清洁无污染,因此需要使用合适的清洗剂。异丙醇,能和水自由混合,对亲油性物质的溶解力比乙醇强,是电子工业中优选的清洗去油剂。

随着信息产业的发展,对半导体的生产制造要求越来越高,对所使用的异丙醇要求达到的纯度也越来越高。现有的异丙醇主要通过蒸馏方法从共沸物中获得高纯度的异丙醇。由于这种方法获得异丙醇水含量太高,难以达到要求,有文献提出以工业异丙醇为原料,使用碳酸盐调节pH值,并加入脱水剂进行回流反应,然后经蒸馏、精馏、过滤等工序获得符合要求的异丙醇。然而,这种制备方法产品质量不稳定,产品中含有金属离子以及各种颗粒杂质不适应半导体的生产需求。因此,如何获得适应半导体生产需求的异丙醇,成为目前导体的生产的重要问题之一。

发明内容

针对上述存在的问题,本发明提供一种半导体级异丙醇的纯化方法,本发明从异丙醇原料出发,通过控制共沸体系结合精细蒸馏来实现对制得的异丙醇里的水份进行清除,得到无水异丙醇,提高异丙醇浓度。具体技术方案如下:

一种半导体级异丙醇的纯化方法,包括步骤如下:

1)调节pH值:使用碳酸盐将含量98%的工业级异丙醇原料的pH值调为5.5~7.5;

2)离子净化处理:并加入异丙醇原料重量0.5~5%wt的金属离子净化剂于净化处理器净化反应30~120min;

3)脱水处理:向净化处理后的异丙醇原料中加入脱水剂,然后于回流状态下进行脱水反应4小时;

4)共沸精馏:将脱水处理后的异丙醇原料引入精馏塔,严格控制精馏温度,精细分离异丙醇及水分;

5)萃取过滤:将共沸精馏出的产品通入萃取塔,所述萃取塔的底部设有萃取滤膜,进一步剥离馏分中的水分和离子;

6)回收净化:将经萃取塔萃取过滤后的馏分通入回收塔,经塔内冷凝系统降温冷凝后进入净化收集器,从而得到半导体级的异丙醇。

作为优选的技术方案的,步骤1)中,所述碳酸盐为碳酸钠或碳酸氢钠或二者的混合物。

作为进一步优选的技术方案的,所述的碳酸盐为碳酸钠与碳酸氢钠的混合物,二者混合的质量比例为:1:1.5。

作为优选的技术方案的,步骤1)中,所述异丙醇原料的pH值调节为6~7。

作为优选的技术方案的,步骤2)中,所述离子净化剂为有机膦酸盐类离子络合剂。

作为进一步优选的技术方案的,所述有机膦酸盐类离子络合剂为乙二胺四甲叉磷酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐或胺三甲叉磷酸盐中的一种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镇江润晶高纯化工科技股份有限公司,未经镇江润晶高纯化工科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010358000.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top