[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，阵列基板包括：基板；第一金属线，位于基板上；绝缘层，位于第一金属线远离基板的一侧；第二金属线，位于绝缘层远离基板的一侧，第二金属线在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；间隔件，间隔件位于绝缘层和第二金属线之间，间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。相对于传统技术，通过增设间隔件以增加第一金属线和第二金属线之间的交叠部分的间距，以避免第一金属线和第二金属线对应间隔件的部分出现静电炸伤。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

目前，1G1D架构8K(解析度7680×4320)显示装置由于分辨率提升，导线的数目增加，位于不同层的第一导线和第二导线相交的数目增多，其中，1G1D架构是指一条扫描线和一行子像素连接，一条数据线和一列子像素连接。如图1所示，其为传统第一导线和第二导线部分交叠时的截面示意图，第一导线1和第二导线2垂直相交且两者之间具有绝缘层3，第一导线1和第二导线2之间的间距太小，导致第一导线1和第二导线2之间会出现静电击穿的问题。

因此，有必要提出一种技术方案以解决两个位于不同层且部分交叠的导线之间易发生静电击穿的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以解决两个位于不同层且部分交叠的导线之间易发生静电击穿的问题。

为实现上述目的，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基板；

第一金属线，位于所述基板上；

绝缘层，位于所述第一金属线远离所述基板的一侧；

第二金属线，位于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二金属线在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；

间隔件，所述间隔件位于所述绝缘层和所述第二金属线之间，所述间隔件在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。

在上述阵列基板中，所述间隔件在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分。

在上述阵列基板中，所述间隔件为半导体图案。

在上述阵列基板中，所述半导体图案的制备材料为非晶硅、多晶硅或金属氧化物。

在上述阵列基板中，所述第一金属线上位于所述第一金属线宽度方向上相对的两个第一边缘在所述基板上具有两个第一正投影，所述第二金属线上位于所述第二金属线宽度方向上相对的两个第二边缘在所述基板上具有两个第二正投影，所述间隔件对应所述第一金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第三正投影，所述间隔件对应所述第二金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第四正投影，所述第三正投影位于两个所述第一正投影的外侧且与靠近所述第三正投影的所述第一正投影之间的间距大于或等于0微米且小于或等于10微米，所述第四正投影位于两个所述第二正投影的外侧且与靠近所述第四正投影的所述第二正投影之间的间距大于或等于0微米且小于或等于10微米。

在上述阵列基板中，所述间隔件的厚度为500埃-2000埃，所述第一金属线包括扫描线，所述第二金属线包括数据线。

一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

于基板上形成第一金属线；

于所述第一金属线远离所述基板的一侧形成绝缘层；

形成覆盖所述绝缘层的整面间隔层；