[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

第一金属线，位于所述基板上；

绝缘层，位于所述第一金属线远离所述基板的一侧；

第二金属线，位于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二金属线在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；

间隔件，所述间隔件位于所述绝缘层和所述第二金属线之间，所述间隔件在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔件在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔件为半导体图案。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体图案的制备材料为非晶硅、多晶硅或金属氧化物。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属线上位于所述第一金属线宽度方向上相对的两个第一边缘在所述基板上具有两个第一正投影，所述第二金属线上位于所述第二金属线宽度方向上相对的两个第二边缘在所述基板上具有两个第二正投影，所述间隔件对应所述第一金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第三正投影，所述间隔件对应所述第二金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第四正投影，所述第三正投影位于两个所述第一正投影的外侧且与靠近所述第三正投影的所述第一正投影之间的间距大于0微米且小于或等于10微米，所述第四正投影位于两个所述第二正投影的外侧且与靠近所述第四正投影的所述第二正投影之间的间距大于0微米且小于或等于10微米。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔件的厚度为500埃-2000埃，所述第一金属线包括扫描线，所述第二金属线包括数据线。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

于基板上形成第一金属线；

于所述第一金属线远离所述基板的一侧形成绝缘层；

形成覆盖所述绝缘层的整面间隔层；

于所述间隔层上形成整面的光阻层，利用光罩对所述光阻层进行曝光且利用显影液进行显影，得对应部分所述第一金属线设置的光阻图案，蚀刻去除未被所述光阻图案覆盖的所述间隔层，去除所述光阻图案，得对应部分所述第一金属线设置的间隔件；

于所述间隔件远离所述绝缘层的一侧形成第二金属线，得所述阵列基板，所述第二金属线在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影相交且两者之间的夹角大于0度且小于或等于90度，所述间隔件在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。

8.根据权利要求7所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述间隔层为半导体层。

9.根据权利要求7所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述间隔件在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。