[发明专利]一种2.5D、3D封装中的玻璃载板开窗及双面金属化工艺有效
| 申请号: | 202010356508.0 | 申请日: | 2020-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN111524819B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
| 发明(设计)人: | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
| 地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 2.5 封装 中的 玻璃 开窗 双面 金属化 工艺 | ||
本发明公开一种2.5D、3D封装中的玻璃载板开窗及双面金属化工艺,包括以下步骤:玻璃载板键合晶圆、实行黄光工艺使玻璃载板上的光刻胶开窗,定义对准晶圆的开窗位置、以蚀刻工艺蚀刻键合的玻璃载板,蚀刻液高刻蚀比,如含氢氟酸的蚀刻液、利用玻璃硬膜,以氧电浆去除键合胶,露出开窗位置的晶圆、实行黄光工艺定义重布线位置、实行黄光工艺定义接触点位置、使用于后续2.5D或是3D封装所需的单面或是同时双面重布线及接触点凸块电镀工艺。本发明使用开窗式玻璃载板,支撑键合后研磨薄化晶圆的功能,还可以实现黄光工艺完成重布线及接触点定位图案后,实行同时双面凸块金属化工艺,提高了品质与生产力。
技术领域
本发明涉及晶片生产领域,具体的是一种2.5D、3D封装中的玻璃载板开窗及双面金属化工艺。
背景技术
随着人类生活品质的提高,随身携带多样性的发展,最终产品需依轻,薄、小、快的规格发展,近年来,在封装技术上,已从传统的引线连接晶粒再连接印刷电路板的方式,发展到2.5D及3D的封装技术。“穿透硅通道(Through-Silicon Vias)”技术的成熟化,使得可以上下多层堆叠,凸块技术解决了上下层堆叠中互连需求。与传统的引线键合互联封装相比,硅通孔技术加上凸块技术连接,有导电好,功耗低及封装体积小的优点。
在生产过程中,一般采用铜为通孔及重布线的材料,完成晶圆正面凸块电镀工序后,实行包覆凸块工艺,再用玻璃载板键合,使得键合后可以薄化晶圆(20-200um),依序完成另外一面的重布线工艺后,再实行晶圆另外一面凸块的电镀工序,解键合,去除凸块的包覆,再后续工序。
为了薄化各层晶圆厚度,以达到最终多层堆叠的厚度极小化及导电好及功耗低的优点,需键合玻璃载板,实行晶圆薄化工序,键合玻璃载板,这键合的玻璃只有支撑键合后研磨薄化晶圆的功能。
发明内容
为解决上述背景技术中提到的不足,本发明的目的在于提供一种2.5D、3D封装中的玻璃载板开窗及双面金属化工艺,本发明使用开窗式玻璃载板,支撑键合后研磨薄化晶圆的功能,还可以实现黄光工艺完成重布线及接触点定位图案后,实行同时双面凸块金属化工艺,提高了品质与生产力;
同时,本发明先玻璃键合晶圆后,后使玻璃载板开窗,开窗的玻璃载板以电浆去除键合胶,露出开窗位置的晶圆,操作方便,提高了工作效率。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种2.5D、3D封装中的玻璃载板开窗及双面金属化工艺,包括以下步骤:
一、玻璃载板键合晶圆;
二、实行黄光工艺使玻璃载板上的光刻胶开窗,定义对准晶圆的开窗位置;
三、以蚀刻工艺蚀刻键合的玻璃载板;
四、利用玻璃硬膜,以氧电浆去除键合胶,露出开窗位置的晶圆;
五、实行黄光工艺定义重布线位置;
六、实行黄光工艺定义接触点位置;
七、使用于后续2.5D或是3D封装所需的同时双面重布线及接触点凸块电镀工艺。
进一步地,所述玻璃载板上开有多个贯通的窗孔。
进一步地,所述黄光工艺总共设置有三次。
进一步地,所述蚀刻工艺中蚀刻液含有氢氟酸。
本发明的有益效果:
1、本发明使用开窗式玻璃载板,支撑键合后研磨薄化晶圆的功能,还可以实现黄光工艺完成重布线及接触点定位图案后,实行同时双面凸块金属化工艺,提高了品质与生产力;
2、本发明先玻璃键合晶圆后,后使玻璃载板开窗,开窗的玻璃载板以电浆去除键合胶,露出开窗位置的晶圆,操作方便,提高了工作效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





