[发明专利]一种晶硅表面处理用臭氧水液体中消除气泡的方法

说明书

本发明提供一种晶硅表面处理的臭氧水液体中消除气泡的装置，包括缓冲罐、气液混合器、进气口、进液口、排液管、气液混合出口、第一液位传感器、第二液位传感器以及多余气体出口；当缓冲罐内的液位到达第一液位传感器的高度，多余气体排气阀打开，当缓冲罐内的液位到达第二液位传感器的高度，多余气体排气阀关闭。本发明采用静态脱泡技术，利用液位控制的技术方式让气体自然脱泡，脱泡成本低，脱泡效果好。本装置的气体和液体进口处不需要控制，混合物流出速度是被动的，不主动控制，稳定状态下是几乎不变的，有利于工业生产中在不降低气体溶解度的情况下稳定快速地实现臭氧和液体的混合液。

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳电池生产技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳电池生产过程中利用臭氧水对晶体硅进行表面处理时的水气混合液体（臭氧水）中消除气泡的方法。

背景技术

在目前的晶体硅太阳电池片生产时普遍采用臭氧水（将臭氧溶于净水或其他溶液中形成的水气混合液体）来对晶体硅进行表面处理以期获得更优的太阳光吸收率从而提高太阳电池的光电转换效率。目前臭氧和液体混合时没有溶解的臭氧与氧气会在液体中产生气泡，气泡的存在会严重影响晶体硅的表面处理质量，因此需要对臭氧水进行脱泡后才能进行硅片处理。常见的脱泡技术有：离心式脱泡、渗透膜脱泡，真空脱泡等技术，上述技术都比较复杂，离心式脱泡需要采用离心泵旋转，利用密度差异进行脱泡，成本高，而且不好控制，需要建立复杂的控制系统进行控制。渗透膜脱泡采用合适的渗透膜让多余的气体通过渗透膜排出，渗透膜整个系统需要集成到溶解装置中去，大幅提高复杂度，真空脱泡式采用负压的方式，让气泡排出，但是负压时，溶解的臭氧也会随之排出，因此脱泡的同时会降低气体溶解度。随着技术发展，设备集成度不断提高，需要采用简单的技术方式实现脱泡。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中臭氧与液体混合过程中，无法用简单快速的方法保证气泡溶解度的同时排出多余气泡的缺点，而提出的一种晶硅表面处理的臭氧水液体中消除气泡的方法。

本发明的目的是为了解决现有技术中臭氧与液体混合过程中，无法用简单快速的方法保证气泡溶解度的同时排出多余气泡的缺点，而提出的一种晶硅表面处理的臭氧水液体中消除气泡的方法。

为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种晶硅表面处理用臭氧水液体中消除气泡的方法，使用晶硅表面处理用臭氧水液体中消除气泡的装置进行气泡消除，所述消除气泡的装置包括缓冲罐、气液混合器、进气口、进液口、排液管、气液混合出口、第一液位传感器、第二液位传感器以及多余气体出口；所述气液混合器安装在所述缓冲罐的内部并固定在所述缓冲罐的底端，所述进气口、所述出气口以及所述排液管均设置在所述缓冲罐的底端，所述气液混合出口、所述第一液位传感器以及所述第二液位传感器从低到高依次设置在所述缓冲罐的罐体侧面，所述多余气体出口设置在所述缓冲罐的顶端；所述进气口上安装有气体进气气动阀，所述多余气体出口上安装有多余气体排气阀；所述第一液位传感器和所述第二液位传感器均与所述多余气体排气阀连接并控制所述多余气体排气阀，当所述缓冲罐内的液位到达所述第一液位传感器的高度，所述多余气体排气阀在所述第一液位传感器的信号控制下打开，当所述缓冲罐内的液位到达所述第二液位传感器的高度，所述多余气体排气阀在所述第二液位传感器的信号控制下关闭。

优选地，所述进液口位于所述气液混合器的正下方。

优选地，所述进气口是进液口的分支并且连通于所述进液口。

优选地，所述进气口上装有气体进气气动阀。

优选地，所述进气口和所述多余气体出口均为1/4”Flaretek管接头，所述进液口和所述气液混合出口均为1”Union connector管接头，所述排液管为1/2”Flaretek管接头。

优选地，所述第二液位传感器位于所述气液混合器的上方。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：