[发明专利]一种MEMS开关结构在审

专利信息
申请号: 202010353722.0 申请日: 2020-04-28
公开(公告)号: CN111508781A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 卞经纬 申请(专利权)人: 无锡市伍豪机械设备有限公司
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00;H01H9/30
代理公司: 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 代理人: 姬颖敏
地址: 214161 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 开关 结构
【说明书】:

发明公开了一种MEMS开关结构,包括MEMS开关组件和上盖,其中所述MEMS开关组件包括基底,多晶硅层,电介质层,埋设在所述电介质层内的第一导体和第二导体,位于电介质层上的控制电极和悬臂梁,固定触点和可动触点;所述上盖设置在所述MEMS开关组件外围,用于密封所述MEMS开关组件,其包括位于最底层的临接层,位于所述临接层上的键合层及位于所述键合层上的圆片封冒,所述圆片封冒具有凹槽,所述MEMS开关组件位于凹槽内部,密封的圆片封冒内部充有灭弧气体。本发明通过优化MEMS开关结构,将MEMS开关组件设置在圆片封冒内部,并采用灭弧气体充满MEMS开关周围,降低了电弧产生的时间和几率,提高了MEMS开关的稳定性和寿命。

技术领域

本发明属于微机电系统(MEMS)领域,尤其涉及一种MEMS开关。

背景技术

微机电系统(MEMS)是在微电子技术的基础上发展起来的,MEMS开关具有成本低、体积小、重量轻、可靠性高等优点,在军用、民用领域和微波集成电路中具有广泛的应用。MEMS开关体积小,触点之间距离非常接近,在触点状态切换时,容易出现电弧,造成MEMS开关短路或由于损坏而断路。另外,MEMS开关含有可动结构,容易收到外界环境的影响,因此需要采用封装的形式将其保护以提高MEMS开关的稳定性和寿命,封装的过程需保护MEMS开关不受到破坏。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中的不足,提供一种MEMS开关。

为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种MEMS开关,包括MEMS开关组件和上盖,其中所述MEMS开关组件包括基底,位于所述基底上的多晶硅层,位于所述多晶硅层上的电介质层,埋设在所述电介质层内的第一导体和第二导体,与所述第二导体连接的固定触点,位于电介质层上的控制电极和悬臂梁,设置在所述悬臂梁前端并且与所述固定触点相对的可动触点;所述上盖设置在所述MEMS开关组件外围,用于密封所述MEMS开关组件,其包括位于最底层的临接层,位于所述临接层上的键合层及位于所述键合层上的圆片封冒,所述圆片封冒具有凹槽,所述MEMS开关组件位于凹槽内部,密封的圆片封冒内部充有灭弧气体。

优选地,所述基底材料为硅,所述电介质层材料为二氧化硅。

优选地,所述悬臂梁相对于所述固定触点的另一端具有固定端,所述固定端通过第一导通孔与所述第一导体连接,所述固定触点通过第二导通孔与所述第二导体连接。

优选地,所述固定端还包括一个固定脚,固定脚上设置有一个支撑部,所述支撑部支撑所述悬臂梁。

优选地,所述上盖和所述MEMS开关组件的电介质层对准键合。

优选地,所述固定触点和所述可动触点材料为金,所述圆片封冒的材料为硅。

优选地,所述临接层采用氮化硅。

优选地,所述灭弧气体采用六氟化硫或六氟乙烷。

本发明与现有技术相比取得的有益效果为:

本发明通过优化MEMS开关结构,将MEMS开关组件设置在圆片封冒内部,并采用灭弧气体充满MEMS开关周围,降低了电弧产生的时间和几率,提高了MEMS开关的稳定性和寿命。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。

附图中,

图1为本发明实施例提供的MEMS开关的结构示意图。

图中各附图标记含义如下。

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