[发明专利]液体处理装置以及液体处理装置的控制方法在审

申请号：	202010348906.8	申请日：	2020-04-28
公开（公告）号：	CN111916343A	公开（公告）日：	2020-11-10
发明（设计）人：	佐佐木新二	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/67
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;张会华
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	液体处理装置以及控制方法
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【说明书】：

本发明涉及液体处理装置以及液体处理装置的控制方法，其能够对送入液体处理装置为止的受到来自于气氛的温度影响的基板进行均匀的液体处理。一种液体处理装置，其向基板供给处理液来对该基板进行处理，其中，该液体处理装置具有：卡盘，其能够保持所述基板并使其旋转；以及卡盘温度调整构件，其能够向相对于所述卡盘靠近或接触的靠近位置和与所述靠近位置相比远离所述卡盘的退避位置移动。

技术领域

本公开涉及液体处理装置以及液体处理装置的控制方法。

背景技术

通常，在半导体器件的制造中，为了在例如半导体晶圆(以下，有时称为晶圆)形成电路图案而利用光刻技术。在光刻技术中，公知有一种涂布显影处理装置，利用作为液体处理装置之一的涂布处理装置进行抗蚀液的涂布处理，在对掩模图案进行曝光处理之后，利用显影处理装置进行由显影液所进行的显影处理的工序，从而形成电路图案。

对于这样的涂布显影处理装置，在利用冷却板将基板调整至预定的温度之后，向涂布处理组件输送基板，然后，进行涂布处理(参照专利文献1)。然而，近年来，有时进行使基板的厚度形成为薄至例如200μm以下的特殊基板的处理。这样的特殊基板为以下基板：通过对具有通常厚度的基板磨削仅作为形成器件的区域而使用的部分来制造，在与包围器件区域的外周剩余区域相对应的背面形成有加强用的环状凸部(参照专利文献2)。对于这样的特殊基板也必须在面内均匀地形成由抗蚀液形成的膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-313788号公报

专利文献2：日本特开2007-173487号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的技术能够对送入液体处理装置为止的受到来自于气氛的温度影响的基板进行均匀的液体处理。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的液体处理装置，其向基板供给处理液来对该基板进行处理，其中，该液体处理装置具有：卡盘，其能够保持所述基板并使其旋转；以及卡盘温度调整构件，其能够向相对于所述卡盘靠近或接触的靠近位置和与所述靠近位置相比远离所述卡盘的退避位置移动。

发明的效果

根据本公开的技术，能够在送入液体处理装置为止对受到来自于气氛的温度影响的基板进行均匀的液体处理。

附图说明