[发明专利]涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质

说明书

本发明提供一种涂敷处理方法，其包括：在基片的表面与喷嘴的间隔被保持为规定的涂敷用间隔的状态下，从喷嘴向基片的表面的中心供给成膜液的步骤；在从喷嘴向基片的表面供给成膜液的期间中，使基片以第1转速绕通过基片的表面中心的轴线旋转，以使得成膜液因离心力而从喷嘴的外周向基片的周缘侧扩展的步骤；和在从喷嘴向基片的表面的成膜液的供给停止之后，使基片以第2转速绕轴线旋转，以使得成膜液因离心力而进一步扩展的步骤，涂敷用间隔被设定成在停止从喷嘴释放成膜液时能够将成膜液保持在喷嘴与基片的表面之间。由此，能够有效提高膜厚均匀性。

技术领域

本发明涉及涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质。

背景技术

在专利文献1中，公开有一种涂敷处理装置，其包括：保持基片的基片保持部；使基片保持部所保持的基片旋转的旋转部；向基片保持部所保持的基片的表面供给涂敷液的供给部；和气流控制板，其设置在基片保持部所保持的基片的上方的规定位置，使通过旋转部而旋转的基片的上方的气流在任意位置局部地变化。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-238838号公报。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明提供能够有效提高膜厚均匀性的涂敷处理方法。

用于解决问题的方式

本发明的一个方面的涂敷处理方法包括：在基片的表面与喷嘴的间隔被保持为规定的涂敷用间隔的状态下，从喷嘴向基片的表面的中心供给成膜液的步骤；在从喷嘴向基片的表面供给成膜液的期间中，使基片以第1转速绕通过基片的表面中心的轴线旋转，以使得成膜液因离心力而从喷嘴的外周向基片的周缘侧扩展的步骤；和在从喷嘴向基片的表面的成膜液的供给停止之后，使基片以第2转速绕轴线旋转，以使得成膜液因离心力而进一步扩展的步骤，涂敷用间隔被设定成在停止从喷嘴释放成膜液时能够将成膜液保持在喷嘴与基片的表面之间。

发明的效果

根据本发明，能够提供可有效提高膜厚均匀性的涂敷处理方法。

附图说明

图1是例示基片液处理系统的概略结构的示意图。

图2是例示涂敷组件的概略结构的示意图。

图3是例示控制部的功能性结构的框图。

图4是例示控制部的硬件结构的框图。

图5是例示涂敷处理工序的流程图。

图6是例示涂敷处理工序的流程图。

图7是例示涂敷处理工序的流程图。

图8是表示预润湿液的涂敷中的晶片的状态的示意图。

图9是表示冷却开始、关闭盖时的晶片的状态的示意图。

图10是表示抗蚀液的供给中的晶片的状态的示意图。

图11是表示抗蚀液的供给停止和扩展中的晶片的状态的示意图。

附图标记的说明

2：涂敷及显影装置(涂敷处理装置)，20：旋转保持部，30：液体供给部，31：喷嘴，81：盖部件，111：液体供给控制部，115：旋转控制部，Ax1：轴线，ID1：内径，W：晶片(基片)，Wa：表面，Wb：背面，Wc：周缘。

具体实施方式

(基片处理系统)