[发明专利]涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质

权利要求书

1.一种涂敷处理方法，其特征在于，包括：

在基片的表面与喷嘴的间隔被保持为规定的涂敷用间隔的状态下，从所述喷嘴向所述基片的表面的中心供给成膜液的步骤；

在从所述喷嘴向所述基片的表面供给所述成膜液的期间中，使所述基片绕通过所述基片的表面中心的轴线以第1转速旋转，以使得所述成膜液因离心力而从所述喷嘴的外周向所述基片的周缘侧扩展的步骤；和

在从所述喷嘴向所述基片的表面的所述成膜液的供给停止之后，使所述基片绕所述轴线以第2转速旋转，以使得所述成膜液因离心力而进一步扩展的步骤，

所述涂敷用间隔被设定成：在停止从所述喷嘴释放所述成膜液时，能够将所述成膜液保持在所述喷嘴与所述基片的表面之间。

2.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，还包括：

在从所述喷嘴向所述基片的表面供给所述成膜液之前，在所述基片的表面涂敷预润湿液的步骤；和

在所述预润湿液的涂敷后，使所述喷嘴向所述基片的表面靠近，直到所述基片的表面与所述喷嘴的间隔成为所述涂敷用间隔的步骤。

3.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于：

在所述成膜液到达所述基片的周缘之前，停止从所述喷嘴释放所述成膜液。

4.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于：

在从所述喷嘴向所述基片的表面的中心供给所述成膜液时，从所述喷嘴以每秒0.2cc以下的流量释放粘度为5cP以下的所述成膜液。

5.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于：

所述涂敷用间隔为所述喷嘴的内径的3倍以下。

6.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于：

所述涂敷用间隔被设定成：在所述基片以所述第1转速旋转的期间，能够使所述喷嘴的下端面位于比形成于所述基片的表面的所述成膜液靠上方的位置。

7.如权利要求6所述的涂敷处理方法，其特征在于：

所述涂敷用间隔被设定成：在从所述喷嘴供给所述成膜液时，能够使在所述喷嘴的下端面与所述基片的表面之间所形成的液柱中产生随着向下方去而变细的部分。

8.如权利要求6或7所述的涂敷处理方法，其特征在于：

从所述喷嘴向所述基片的表面供给所述成膜液的步骤还包括：从带有环状部分的所述喷嘴释放所述成膜液的步骤，其中，所述环状部分在所述喷嘴的下端面包围用于释放所述成膜液的开口，且以小于所述开口的内径的宽度设置。

9.如权利要求1～6中任一项所述的涂敷处理方法，其特征在于，包括：

在从所述喷嘴向所述基片的表面的所述成膜液的供给停止之后，使所述基片的转速从所述第1转速下降后，使所述喷嘴从供给所述成膜液时的位置远离所述基片的步骤。

10.如权利要求1～6中任一项所述的涂敷处理方法，其特征在于，还包括：

在从所述喷嘴向所述基片的表面的所述成膜液的供给停止之前，在与所述基片的表面相对的位置配置用于抑制所述成膜液的溶剂挥发的盖部件的步骤；和

在所述基片以所述第2转速进行的旋转结束之前，从与所述基片的表面相对的位置移去所述盖部件的步骤。

11.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，还包括：

在从所述喷嘴向所述基片的表面供给所述成膜液的期间中，冷却所述基片的步骤；和

在所述基片以所述第2转速进行的旋转结束之前，停止所述基片的冷却的步骤。

12.如权利要求11所述的涂敷处理方法，其特征在于：

使所述基片的冷却在设定的时刻停止，其中，该设定的时刻与从所述喷嘴向所述基片的表面的所述成膜液的供给停止的时刻之间的期间，比该设定的时刻与所述基片以所述第2转速进行的旋转结束的时刻之间的期间短。