[发明专利]一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品

说明书

本发明实施例公开了一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品，所述瞬态电压抑制保护器件包括，衬底，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；所述电子产品包括上述瞬态电压抑制保护器件，本发明实施例公开的技术方案可以在较低电压下触发开启保护，并且电容很小，同时制作工艺简单。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路技术领域，具体涉及一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品。

背景技术

随着电子产品信号传输速率不断增加，后端IC器件工艺制程越来越先进，电子产品对ESD(静电释放)和EOS(电气过应力)的承受能力越来弱，这就需要增加瞬态电压抑制保护器件(TVS)对电子产品后端IC进行防护，同时对TVS器件提出更高的要求。

现有低电容TVS产品存在工艺复杂，触发电压较高问题，对后端IC防护存在很大问题。

发明内容

本发明提供的实施例一个目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓减上述问题。

本发明提供的实施例另一目的在于提供一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品，可以在较低电压下触发开启保护功能，并且器件电容很小，制作工艺简单。

第一方面，本发明实施例公开了一种瞬态电压抑制保护器件，包括，衬底，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；

所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；

所述衬底作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。

作为本发明的优选实施例，所述第一阱和第二阱分别与所述衬底之间形成的pn结的结深相同，所述第一注入区和所述第二注入区分别与所述第一阱和第二阱之间形成的pn结的结深相同。

作为本发明的优选实施例，所述第一阱和第二阱掺杂浓度相同，所述第一注入区和第二注入区掺杂浓度相同。

作为本发明的优选实施例，所述第一注入区和第二注入区分别设置在所述第一阱和第二阱中央位置。

作为本发明的优选实施例，所述第一阱和第二阱之间间隔距离为5-20um。

作为本发明的优选实施例，所述衬底作为集电极的电阻率为30-1500Ω·cm。

与现有技术相比，本发明实施例提供了一种瞬态电压抑制保护器件，通过在衬底上形成从左到右相互间隔设置的第一阱和第二阱，其中，第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区，通过将两个第一阱和第二阱共用一个衬底作为共用集电极，这样可以利用半导体穿通特性，解决了高阻衬底三极管单向截止特性导致器件无法正常单独应用的问题，本发明实施例提供的保护器件由两个共用集电极的基极开路三极管串联，可以在较低电压下触发开启保护，可以使器件电容减半，获得更小的电容，同时有更高抗浪涌和静电能力。

第二方面，本发明实施例还提供了一种瞬态电压抑制保护器件，包括，衬底，外延层，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；

所述外延层设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述外延层上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述外延层的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；