[发明专利]一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括，衬底，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；

所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；

所述衬底作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱分别与所述衬底之间形成的pn结的结深相同，所述第一注入区和所述第二注入区分别与所述第一阱和第二阱之间形成的pn结的结深相同。

3.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱掺杂浓度相同，所述第一注入区和第二注入区掺杂浓度相同。

4.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一注入区和第二注入区分别设置在所述第一阱和第二阱中央位置。

5.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱之间间隔距离为5-20um。

6.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述衬底作为集电极的电阻率为30-1500Ω·cm。

7.一种瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括，衬底，外延层，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；

所述外延层设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述外延层上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述外延层的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；

所述外延层作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。

8.根据权利要求7所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱分别与所述外延层之间形成的pn结的结深相同，所述第一注入区和所述第二注入区分别与所述第一阱和第二阱之间形成的pn结的结深相同。

9.根据权利要求7至8任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱掺杂浓度相同，所述第一注入区和第二注入区掺杂浓度相同。

10.根据权利要求9任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底。

11.根据权利要求7至8任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述外延层与所述衬底的掺杂类型相同或不同。

12.根据权利要求7至8任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一注入区和第二注入区分别设置在所述第一阱和第二阱中央位置。

13.根据权利要求7至8任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱之间间隔距离为5-20um。

14.根据权利要求7至8任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述外延层作为集电极的电阻率为30-1500Ω·cm。