[发明专利]半导体芯片处理装置

说明书

一种半导体芯片处理装置，包括：工艺腔室，所述工艺腔室用于对置于工艺腔室中的晶圆进行特定半导体工艺处理；缺陷检测模组，所述缺陷检测模组用于对进入所述工艺腔室之前或者进入所述工艺腔室中进行特定半导体工艺处理后的晶圆进行缺陷的检测，所述缺陷检测模组包括：晶圆载台，用于固定需要进行缺陷检测的所述晶圆；图像获取模块，所述图像获取模块包括摄像头阵列，所述图像获取模块通过摄像头阵列一次拍摄获得所述晶圆载台上的晶圆整个表面对应的检测图像；缺陷判断模块，所述缺陷判断模块根据所述图像获取模块获得的检测图像，判断所述需要进行缺陷检测的晶圆的表面是否存在缺陷。提高了半导体芯片处理装置的利用率和缺陷检测的效率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种具有高速缺陷检测功能的半导体芯片处理装置。

背景技术

集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。集成电路制作通过是采用光刻、刻蚀、研磨、沉积、注入等半导体制作工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在晶圆上，成为具有所需电路功能的微型结构。

现有的光刻、刻蚀、研磨、沉积、注入等半导体制作工艺是在相应的半导体芯片处理装置中进行，比如光刻工艺是在涂布、曝光和显影装置中进行，刻蚀工艺在刻蚀装置中进行。

集成电路的制作过程中，为了保证半导体制作工艺的准确性和稳定性，在进行特性的半导体工艺制程后一般都要进行对晶圆的表面进行缺陷的检测，比如在显影工艺后进行的显影后缺陷检查ADI(After Develop Inspection)，或者在刻蚀工艺后进行的刻蚀后缺陷检查AEI(After Etch Inspection)，而缺陷检测一般是在缺陷检测装置上通过扫描电镜进行。

从上可知，现有的半导体制作工艺和缺陷检测是分别在不同的装置上进行，在半导体芯片处理装置与缺陷检测装置之间运送晶圆的需要耗费一定的时间，使得半导体芯片处理装置空闲时间会加长，成本提高，并且现有的缺陷检测的装置在进行缺陷检测时的效率偏低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样提高半导体芯片处理装置的利用率，并提高缺陷检测的效率。

本发明提供了一种半导体芯片处理装置模组，包括：

工艺腔室，所述工艺腔室用于对置于工艺腔室中的晶圆进行特定半导体工艺处理；

缺陷检测模组，所述缺陷检测模组用于对进入所述工艺腔室之前或者进入所述工艺腔室中进行特定半导体工艺处理后的晶圆进行缺陷的检测，所述缺陷检测模组包括：晶圆载台，用于固定需要进行缺陷检测的所述晶圆；图像获取模块，所述图像获取模块包括摄像头阵列，所述图像获取模块通过摄像头阵列一次拍摄获得所述晶圆载台上的晶圆整个表面对应的检测图像；缺陷判断模块，所述缺陷判断模块根据所述图像获取模块获得的检测图像，判断所述需要进行缺陷检测的晶圆的表面是否存在缺陷。

可选的，所述图像获取模块还包括一平面基板，若干个摄像头呈阵列方式排布在所述平面基板上，形成所述摄像头阵列，所述摄像头的个数大于等于5。

可选的，所述摄像头阵列的尺寸与所述晶圆的尺寸对应，所述摄像头阵列中所有摄像头的尺寸相同，放大倍率相同，所述放大倍率为10～250倍。

可选的，所述图像获取模块还包括图像拼接单元，所述图像拼接单元用于将所述摄像头阵列中的所有摄像头在同一倍率下获得的若干图像进行拼接获得晶圆整个表面对应的检测图像。

可选的，所述摄像头阵列中包括具有第一放大倍率的若干第一摄像头和具有第二放大倍率的若干第二摄像头，所述第一放大倍率小于第二放大倍率，所述第一摄像头的数量大于第二摄像头的数量。

可选的，所述第一放大倍率为10倍～250倍，所述第二放大倍率为20倍～300倍。