[发明专利]半导体芯片处理装置

权利要求书

1.一种半导体芯片处理装置，其特征在于，包括：

工艺腔室，所述工艺腔室用于对置于工艺腔室中的晶圆进行特定半导体工艺处理；

缺陷检测模组，所述缺陷检测模组用于对进入所述工艺腔室之前或者进入所述工艺腔室中进行特定半导体工艺处理后的晶圆进行缺陷的检测，所述缺陷检测模组包括：晶圆载台，用于固定需要进行缺陷检测的所述晶圆；图像获取模块，所述图像获取模块包括摄像头阵列，所述图像获取模块通过摄像头阵列一次拍摄获得所述晶圆载台上的晶圆整个表面对应的检测图像；缺陷判断模块，所述缺陷判断模块根据所述图像获取模块获得的检测图像，判断所述需要进行缺陷检测的晶圆的表面是否存在缺陷。

2.如权利要求1所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述图像获取模块还包括一平面基板，若干个摄像头呈阵列方式排布在所述平面基板上，形成所述摄像头阵列，所述摄像头的个数大于等于5。

3.如权利要求2所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述摄像头阵列的尺寸与所述晶圆的尺寸对应，所述摄像头阵列中所有摄像头的尺寸相同，放大倍率相同，所述放大倍率为10～250倍。

4.如权利要求3所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述图像获取模块还包括图像拼接单元，所述图像拼接单元用于将所述摄像头阵列中的所有摄像头在同一倍率下获得的若干图像进行拼接获得晶圆整个表面对应的检测图像。

5.如权利要求2所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述摄像头阵列中包括具有第一放大倍率的若干第一摄像头和具有第二放大倍率的若干第二摄像头，所述第一放大倍率小于第二放大倍率，所述第一摄像头的数量大于第二摄像头的数量。

6.如权利要求5所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述第一放大倍率为10倍～250倍，所述第二放大倍率为20倍～300倍。

7.如权利要求5所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述图像获取模块在对晶圆的表面进行拍摄时，所述第一摄像头和第二摄像头开始均采用同一倍率进行拍摄，获得若干第一检测图像；然后，所述第二摄像头增大倍率进行拍摄，获得若干第二检测图像。

8.如权利要求7所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述图像获取模块还包括图像拼接单元，所述图像拼接单元用于将所述若干第一检测图像进行拼接获得晶圆整个表面对应的检测图像，所述进行拼接包括图像预处理步骤、图像配准步骤、建立变化模型步骤、同一坐标变化步骤和融合重构步骤。

9.如权利要求1所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述缺陷判断模块包括标准单元和比较单元，所述标准单元中存储有标准晶圆图像或者无缺陷晶圆图像，所述比较单元用于将图像获取模块获得的检测图像与标准晶圆图像或者无缺陷晶圆图像进行比较或匹配，进而判断检测图像上是否存在缺陷以及缺陷的位置。

10.如权利要求1所述的半导体芯片处理装置，其特征在于，所述工艺腔室中进行的特定半导体工艺处理为涂胶处理、曝光处理、显影处理、刻蚀处理、化学机械研磨处理、湿法清洗处理或沉积处理；所述半导体芯片处理装置还包括传送模组，所述传送模组用于在所述工艺腔室和缺陷检测模组之间传送晶圆。