[发明专利]一种太阳能电池金属电极及其制备方法在审
| 申请号: | 202010337111.7 | 申请日: | 2020-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN113555452A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
| 发明(设计)人: | 侯良龚 | 申请(专利权)人: | 南京一能光伏材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 韩蕾;周达 |
| 地址: | 211800 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 金属电极 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种太阳能电池金属电极及其制备方法。本发明的太阳能电池金属电极的制备方法包括:依据所需电极形状采用激光刻蚀高分子薄膜制备掩模版;将掩模版固定在基板上,采用物理气相沉积方法在掩模版上镀金属膜,以在基板上生长出所需形状的金属电极或者电极种子层。本发明的方法制作成本低,制备的电极导电率高、同时遮光面积小、光电转化率高。
技术领域
本发明是关于一种太阳能电池金属电极及其制备方法。
背景技术
太阳能电池能够将太阳能转化为电能,是清洁能源的重要来源。电极是太阳能电池的关键组件,主要为线宽100μm以下的阵列格栅结构。
目前太阳能电池电极的制备普遍采用丝网印刷银浆工艺,得到的电极线宽在30μm以上。由于银浆主要成分是银,成本较高,与此同时,银浆导电率比金属银低很多,为了实现一定的导电率,需要相对比较粗的电极栅线,从而需要较多的原材料,进一步增加了成本;而且电极较粗时,会导致更多的太阳光被遮挡。而且,在印刷薄膜太阳电池电极时,印刷面积0.72平方米或以上,良率低,对设备、工艺的要求高。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种新颖的制备电极的方法。
本发明的另一目的在于提供一种所制备得到的金属电极。
本发明的另一目的在于提供包含所述金属电极的太阳能电池。
一方面,本发明提供了一种太阳能电池金属电极的制备方法,该方法包括:
依据所需电极形状采用激光刻蚀高分子薄膜制备掩模版;
将掩模版固定在基板上,采用物理气相沉积(PVD)方法在掩模版上镀金属膜,以在基板上生长出所需形状的金属电极或者电极种子层。
根据本发明的具体实施方案,本发明的太阳能电池金属电极的制备方法中,所述高分子薄膜的材质为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚烯烃薄膜(PO)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC),或者其他厚度满足要求的高分子薄膜。高分子薄膜可以是不带粘贴性能的薄膜,也可以是带粘贴性能的高分子薄膜,也即通常所说的胶带。
根据本发明的具体实施方案,本发明的太阳能电池金属电极的制备方法中,所述高分子薄膜的厚度为1μm-500μm。
根据本发明的具体实施方案,本发明的太阳能电池金属电极的制备方法中,制备掩模版的过程包括采用超快激光(脉冲宽度在ps甚至fs量级的激光)在高分子薄膜上制备出需要的电极形状的狭缝。采用本发明的方法,能够制作加工精细的高分子薄膜掩模版。
根据本发明的具体实施方案,本发明的太阳能电池金属电极的制备方法中,激光刻蚀高分子薄膜的狭缝宽度(即所制备出的电极线的宽度)1μm-1000μm。具体地,制备晶硅太阳能电池辅栅或者普通栅线时,狭缝宽度优选为1μm-100μm,进一步优选为1μm-20μm;制备晶硅太阳能电池主栅时,狭缝宽度优选为100μm-500μm。狭缝具体宽度也可具体根据需要的电极形状而定。狭缝长度根据电池电极设计决定。
根据本发明的具体实施方案,本发明的太阳能电池金属电极的制备方法中,所述基板可以是太阳能电池片。将掩模版固定在太阳能电池片上,采用PVD方法在掩模版上镀金属膜,以直接在太阳能电池片上生长出所需形状的金属电极。所述基板也可以是其他膜板(这里的其他膜板是指不同于掩膜版的另一块模板),在基板上镀金属电极后,将其转移到太阳能电池中作为太阳能电极。例如,可以是在一个塑料薄膜(具有完整平面即可,例如透明的PET薄膜)上生长出来电极,然后将带有电极的薄膜直接翻过来扣在太阳电池上,同样实现制作出太阳能电池电极的目的。
根据本发明的具体实施方案,本发明的太阳能电池金属电极的制备方法中,将高分子薄膜掩模版固定在基板上的方法,包括采用双面胶、胶水、固定的卡槽、载片台中的一种或多种的组合方式。如果掩模版采用的是带粘贴性能的胶带时,则固定方法可为直接粘贴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





