[发明专利]一种太阳能电池金属电极及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池金属电极的制备方法，该方法包括：

依据所需电极形状采用激光刻蚀高分子薄膜制备掩模版；

将掩模版固定在基板上，采用物理气相沉积方法在掩模版上镀金属膜，以在基板上生长出所需形状的金属电极或者电极种子层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述高分子薄膜的厚度为1μm-500μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，制备掩模版的过程包括采用超快激光在高分子薄膜上制备出需要的电极形状的狭缝。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述狭缝宽度为1μm-1000μm；

具体地，制备晶硅太阳能电池辅栅或者普通栅线时，狭缝宽度优选为1μm-100μm，进一步优选为1μm-20μm；制备晶硅太阳能电池主栅时，狭缝宽度优选为100μm-500μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述基板为太阳能电池片或其他膜板。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，将掩模版固定在基板上的方法，包括采用双面胶、胶水、固定的卡槽、载片台中的一种或多种的组合方式。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所采用的金属包括单一金属、或者合金、或者多种金属的叠加、或金属与合金叠加、或者合金与合金的叠加；

可选择性地，在物理气相沉积方法沉积金属前，还包括预先沉积一层非金属膜，作为缓冲层。

8.根据权利要求1所述的制备方法，该方法还包括在太阳能电池片上生长出所需形状的金属电极后，去除掩模版。

9.一种太阳能电池的制备方法，其包括按照权利要求1-8任一项所述制备方法制备金属电极的过程。

10.一种掩模版，其是依据所需电极形状采用激光刻蚀高分子薄膜制备得到的。