[发明专利]包括硬涂层的保护窗及包括所述保护窗的柔性显示装置在审
申请号: | 202010331481.X | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111863882A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 朴映相;金荣文;宋基哲;安兴根;朴奎锺;安成国;李璋斗;郑哲豪 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;C09D7/47;C09D7/61 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 涂层 保护 柔性 显示装置 | ||
1.保护窗,包括:
柔性基底膜;以及
设置在所述柔性基底膜上的硬涂层,
其中所述硬涂层包含硅酮流平剂和无机抗静电剂,
其中所述硬涂层包括上区域和设置在所述上区域与所述柔性基底膜之间的下区域,并且所述上区域中的所述无机抗静电剂的密度大于所述下区域中的所述无机抗静电剂的密度。
2.如权利要求1所述的保护窗,其中所述柔性基底膜包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚偏二氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚苯乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物或其组合。
3.如权利要求1所述的保护窗,其中所述无机抗静电剂包括铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物、锑氧化物或其组合。
4.如权利要求1所述的保护窗,其中所述无机抗静电剂包括Sb2O5、SnO2或其组合。
5.如权利要求4所述的保护窗,其中所述硬涂层中的所述硅酮流平剂的含量等于或小于2重量百分比,并且所述硬涂层中的所述无机抗静电剂的含量等于或小于2重量百分比。
6.如权利要求4所述的保护窗,其中所述硬涂层中的所述硅酮流平剂的含量是0.1重量百分比至1重量百分比,并且所述硬涂层中的所述无机抗静电剂的含量是0.05重量百分比至0.5重量百分比。
7.如权利要求1所述的保护窗,其中所述硬涂层进一步包含(甲基)丙烯酸酯化合物的固化产物。
8.如权利要求1所述的保护窗,其中所述硬涂层的表面粗糙度是1纳米至2纳米。
9.如权利要求1所述的保护窗,其中所述保护窗进一步包括防指纹层,所述防指纹层包含含氟化合物。
10.如权利要求1所述的保护窗,进一步包括在所述硬涂层与所述柔性基底膜之间的界面层,并且所述界面层由来自所述柔性基底膜的第一组分和来自所述硬涂层的第二组分形成,其中所述界面层的厚度等于或小于1微米。
11.如权利要求1所述的保护窗,其中在60℃和93%的湿度下所述硬涂层的吸湿性等于或小于2%。
12.显示装置,包括:
基底衬底;
设置在所述基底衬底上的发光元件阵列;
覆盖所述发光元件阵列的封装层;以及
设置在所述封装层上的保护窗,
其中所述保护窗包括:
柔性基底膜;以及
设置在所述柔性基底膜上的硬涂层,
其中所述硬涂层包含硅酮流平剂和无机抗静电剂,
其中所述硬涂层包括上区域和设置在所述上区域与所述柔性基底膜之间的下区域,并且所述上区域中的所述无机抗静电剂的密度大于所述下区域中的所述无机抗静电剂的密度。
13.如权利要求12所述的显示装置,进一步包括设置在所述封装层与所述保护窗之间的触摸感测部件。
14.如权利要求12所述的显示装置,其中所述显示装置是通过外力可折叠的。
15.如权利要求12所述的显示装置,其中所述无机抗静电剂包括Sb2O5、SnO2或其组合。
16.如权利要求12所述的显示装置,其中所述硬涂层中的所述硅酮流平剂的含量是0.1重量百分比至1重量百分比,并且所述硬涂层中的所述无机抗静电剂的含量是0.05重量百分比至0.5重量百分比。
17.如权利要求12所述的显示装置,其中所述硬涂层的表面粗糙度是1纳米至2纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的