[发明专利]电子器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种电子器件及其制造方法，本发明将牺牲阳极设置于焊盘之下，并具有延伸到器件边缘，可以避免牺牲阳极对焊盘的热处理时影响，并且该牺牲阳极可以保护焊盘之上的AlSi层，防止其被氧化。AlSi层的设置可以增加线接合球的润湿性，保证其可焊性，且优选的，所述AlSi层中具有N掺杂，其可以保证Al不被氧化。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造测试领域，具体涉及一种电子器件及其制造方法。

背景技术

芯片形成的最后一步，往往需要后道工序的层间绝缘层和布线层的沉积。对于传统的芯片，往往需要形成焊盘以进行外部电连接。该外部电连接可以通过正装或者倒装方式形成，在此保证外部电连接的可靠性是必需的。

发明内容

基于解决上述问题，本发明提供了一种电子器件的制造方法，其包括以下：

(1)提供衬底，所述衬底包括至少一个电极；

(2)在所述衬底上形成绝缘层并进行图案化，以形成露出所述电极的第一开口；

(3)在所述绝缘层上形成牺牲阳极层和布线层，所述布线层的一端电连接所述电极，另一端设置于所述牺牲阳极层上形成为焊盘；

(4)形成覆盖所述绝缘层、所述布线层和所述牺牲阳极层的钝化层并进行图案化，以形成露出所述焊盘的第二开口；

(5)在所述第二开口中的所述焊盘上形成AlSi层；

(6)在所述AlSi层上形成线接合球。

其中，所述AlSi层采用铝钯和硅靶的共溅射方法形成，其溅射的氛围至少包含氮气。

其中，在步骤(6)中形成线接合球还包括加热熔融所述线接合球，并使得所述线接合球与所述AlSi层形成金属间化合物层。

本发明还提供了一种电子器件，其通过上述电子器件的制造方法得到，具体包括：

衬底，所述衬底包括至少一个电极；

绝缘层，设置在所述衬底上且具有露出所述电极的第一开口；

牺牲阳极和布线层，设置于所述绝缘层上，其中，所述布线层的一端电连接所述电极，另一端设置于所述牺牲阳极层上形成为焊盘；

钝化层，覆盖所述绝缘层、所述布线层和所述牺牲阳极层且具有露出所述焊盘的第二开口；

AlSi层，设置在所述第二开口中的所述焊盘上；

线接合球，设置在所述AlSi层上。

其中，所述线接合球与所述AlSi层之间形成有金属间化合物层。

其中，所述牺牲阳极层包括与所述焊盘上下不对应的第一部分以及与所述焊盘上下相对应的第二部分，所述第一部分和第二部分一体成型，且所述第一部分由所述焊盘位置延伸至所述电子器件的边缘。

其中，所述第二部分具有一凹陷，所述焊盘的一部分位于所述凹陷中。

其中，所述第二部分为一环形，所述环形中具有第三开口。

其中，所述第三开口中填充有绝缘材料。

其中，所述焊盘具有与所述第三开口共形的凹口。

本发明具有以下有益效果：本发明将牺牲阳极设置于焊盘之下，并具有延伸到器件边缘，可以避免牺牲阳极对焊盘的热处理时影响，并且该牺牲阳极可以保护焊盘之上的AlSi层，防止其被氧化。AlSi层的设置可以增加线接合球的润湿性，保证其可焊性，且优选的，所述AlSi层中具有N掺杂，其可以保证Al不被氧化。

附图说明

图1为本发明的电子器件的剖视图；